[发明专利]背照式图像传感器及其形成方法

说明书

一种背照式图像传感器及其形成方法，图像传感器包括：位于晶圆主体第一区内的第一感光器件和第一存储节点；位于晶圆主体第一区中的第一槽，第一槽位于第一存储节点上；位于第一槽中的第一附加反射结构，第一附加反射结构的侧壁表面与第一附加反射结构底部表面之间呈锐角，第一附加反射结构包括第一附加反射层，至少第一附加反射结构的侧壁表面暴露出第一附加反射层；位于第一槽底部的第一底反射层，第一底反射层至少位于第一附加反射结构侧部的第一槽底部，第一附加反射层和第一底反射层在第一槽底部表面的投影完全覆盖第一存储节点；位于第一槽中的第一透光层。所述背照式图像传感器的光电转换效率得到提高。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种背照式图像传感器及其形成方法。

背景技术

背照式图像传感器是一种将光信号转化为电信号的半导体器件。背照式图像传感器分为互补金属氧化物(CMOS)背照式图像传感器和电荷耦合器件(CCD)背照式图像传感器。CMOS背照式图像传感器具有工艺简单、易于其它器件集成、体积小、重量轻、功耗小和成本低等优点。因此，随着图像传感技术的发展，CMOS背照式图像传感器越来越多地取代CCD背照式图像传感器应用于各类电子产品中。目前，CMOS背照式图像传感器已经广泛应用于静态数码相机、数码摄像机、医疗用摄像装置和车用摄像装置等。

CMOS背照式图像传感器包括前照式(FSI)背照式图像传感器和背照式(BSI)背照式图像传感器。在背照式背照式图像传感器中，光从背照式图像传感器的背面入射到背照式图像传感器中的感光二极管上，从而将光能转化为电能。

然而，现有的背照式背照式图像传感器的性能有待提高。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种背照式图像传感器及其形成方法，以增加背照式图像传感器的光电转换效率。

为解决上述问题，本发明提供一种背照式图像传感器，包括：晶圆主体，晶圆主体包括主体背面，晶圆主体包括像素单元区，像素单元区包括第一区；位于晶圆主体第一区内的第一感光器件；位于晶圆主体第一区内的第一存储节点，且第一存储节点位于第一感光器件的侧部；位于晶圆主体第一区中的第一槽，第一槽的开口朝向主体背面，第一槽位于第一存储节点上且未延伸至第一感光器件上；位于第一槽中的第一附加反射结构，第一附加反射结构的侧壁表面与第一附加反射结构底部表面之间呈锐角，第一附加反射结构包括第一附加反射层，至少第一附加反射结构的侧壁表面暴露出第一附加反射层；位于第一槽底部的第一底反射层，第一底反射层至少位于第一附加反射结构侧部的第一槽底部，且第一附加反射层和第一底反射层在第一槽底部表面的投影完全覆盖第一存储节点；位于第一槽中的第一透光层，第一透光层位于第一附加反射结周围且位于第一底反射层上。

可选的，所述第一附加反射结构的侧壁表面与所述第一附加反射结构底部表面之间的夹角为30度至85度。

可选的，所述第一底反射层的材料为金属；所述第一附加反射层的材料为金属。

可选的，所述第一附加反射结构的形状呈梯形结构。

可选的，所述第一底反射层仅位于第一附加反射结构侧部的第一槽底部；第一附加反射结构的侧壁表面和顶部表面均暴露出第一附加反射层。

可选的，所述第一底反射层位于第一附加反射结构侧部的第一槽底部、以及第一附加反射结构的底部；仅第一附加反射结构的侧壁表面暴露出第一附加反射层。

可选的，所述第一底反射层位于第一附加反射结构侧部的第一槽底部、以及第一附加反射结构的底部；所述第一附加反射结构的侧壁表面和顶部表面均暴露出第一附加反射层。

可选的，所述第一附加反射结构的形状呈三棱锥体。

可选的，所述第一底反射层仅位于第一附加反射结构侧部的第一槽底部；所述第一附加反射结构的侧壁表面暴露出第一附加反射层。