[发明专利]一种发光二极管的外延片的制备方法及外延片有效
| 申请号： | 201810088875.X | 申请日： | 2018-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN108417671B | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 刘春杨;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
1.一种发光二极管的外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上生长发光二极管的外延片；
在所述发光二极管的外延片生长完成之后，在N2和NH3的混合气体中对所述外延片进行退火处理，
所述在所述发光二极管的外延片生长完成之后，在N2和NH3的混合气体中对所述外延片进行退火处理，包括：
在所述发光二极管的外延片生长完成之后，持续向反应腔内通入N2和NH3的混合气体，并将所述反应腔的温度调节至退火温度，在所述退火温度下，对所述外延片进行一段时间的保温处理，通入所述反应腔内的N2与NH3的气体流量的气体流量分别为240L/min、113L/min，所述退火温度为760℃，退火处理过程中的压力为200torr，退火时间为3分30秒。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述N2与所述NH3的气体流量的比值为2:1。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，通入所述反应腔内的N2的气体流量为100L/min～250L/min，通入所述反应腔内的NH3的气体流量为10L/min～250L/min。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述一段时间为1min～5min。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在对所述外延片进行退火处理时，所述反应腔内的压力为100torr～500torr。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述外延片的退火温度为700℃～800℃。
7.根据权利要求1～6任一项所述的制备方法，其特征在于，将所述反应腔内的温度调节至退火温度，包括：
在持续向反应腔内通入N2和NH3的混合气体的过程中，将所述反应腔的温度从所述外延片的生长温度降低至所述退火温度。
8.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片采用如权利要求1-6任一项所述的制备方法制造。
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