[发明专利]一种可重置的双极型开关传感器在审
申请号: | 201810088696.6 | 申请日: | 2018-01-30 |
公开(公告)号: | CN108089139A | 公开(公告)日: | 2018-05-29 |
发明(设计)人: | 詹姆斯·G·迪克;周志敏 | 申请(专利权)人: | 江苏多维科技有限公司 |
主分类号: | G01R33/09 | 分类号: | G01R33/09;G01R33/00 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 孙仿卫;李萍 |
地址: | 215634 江苏省苏州市张家港*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 重置 磁电阻 传感器 传感单元 衬底 双极型开关 磁滞开关 开关电路 传感臂 双极型 自由层磁化方向 电源电路连接 各向异性场 开关传感器 磁场方向 磁化方向 电源电路 起始状态 输出功能 预先设置 参考层 串并联 低功耗 两端口 引线框 并联 偏置 磁场 串联 敏感 阅读 | ||
本发明公开了一种可重置的双极型开关传感器,包括:双极型磁滞开关传感器、重置线圈、ASIC开关电路及重置电源电路,双极型磁滞开关传感器包括:衬底,位于衬底上的磁电阻传感臂,磁电阻传感臂为一个或多个磁电阻传感单元串之间通过串联、并联或者串并联而成的两端口结构,TMR磁电阻传感单元自由层磁化方向仅由各向异性场Hk决定、且和磁场敏感方向和参考层磁化方向均可沿着N或者S方向,重置线圈位于衬底和磁电阻传感单元之间,或者位于衬底下方引线框上,重置磁场方向均同为N或者S方向之一,ASIC开关电路包括偏置功能模块,阅读功能模块和输出功能模块,重置电源电路连接重置线圈。本发明具有低功耗,小尺寸,可预先设置开关传感器起始状态的特点。
技术领域
本发明涉及磁性传感器领域,特别涉及一种可重置的双极型开关传感器。
背景技术
磁电阻开关传感器广泛应用于消费电子、白色家电、三表(电表、水表、气表)、汽车以及工业应用领域。目前主流的磁性开关传感器有霍尔传感器和各向异性(AMR)传感器。在消费电子和三表应用领域,霍尔开关传感器和AMR开关传感器的功耗可达微安,这是在牺牲其工作频率的情况下获得的,其工作频率为几十赫兹,其开关点为几十高斯,在汽车、工业应用等需要高工作频率的环境,霍尔开关传感器和AMR开关传感器的功耗为毫安级,其工作频率为千赫兹级别。
隧道磁电阻TMR元件为敏感元件的传感器具有低功耗的特点,可以工作在千赫兹甚至兆赫兹工作频率,功耗可以达到微安级别,开关工作点为十几高斯,具有高灵敏度和低功耗,响应频率高,体积小的特点。
通常开关传感器一般采用线性磁电阻传感器,在输出电压V和外磁场H的直线工作区域,设定操作点和回复点磁场以及对应的信号输出电压作为参考信号,采用比较器实现矩形高电平和低电平开关信号输出。
TMR线性磁电阻传感器的自由层各向异性场Hk和外磁场Hex为相互垂直关系,且参考层磁化方向垂直于自由层磁化方向,当自由层磁矩随外磁场Hex增加,发生旋转,自由层磁化方向从与参考层磁化方向夹角为90度位置旋转至夹角为0度位置,当反向外磁场-Hex时,则旋转至180度位置,且此时磁电阻R-外磁场H输出特征曲线为线性;另一方面,当自由层各向异性场Hk方向与外磁场Hex方向一致,且参考层磁化方向设置成与自由层磁化方向相互平行,增加外磁场Hex,自由层磁矩M不发生变化,而当外磁场反向-Hex时,在反向外磁场-Hex幅度小于Hk时,自由层磁矩M保持不变,此时,夹角为0度,而当反向外磁场-Hex幅度接近Hk时,自由层磁矩M突然发生反向即变成-M,此时夹角为180度,从而具有矩形的磁滞回线M-Hex特征,对应的磁电阻R-外磁场H曲线也为矩形磁滞回线特征,从而提供了一种新型的双极型磁滞磁电阻传感器开关。
磁滞双极型磁电阻传感器在0外磁场条件下自由层磁化方向M可以存在两种稳定的状态,即与参考层磁化方向夹角为0度和180度的状态,取决于撤去外磁磁场前所施加的外磁场Hex的方向。
因此,为了保证每次测量时能够确保自由层磁化方向M的方向的一致性,可以采用重置线圈产生重置磁场Hr,作用于N或者S方向,并可以选择在测量开始前或者选择在测量完成之后激发Hr,使得自由层磁化方向M已知。
对于TMR线性开关磁电阻传感器电桥,通常采用将一个具有单一磁场敏感方向如X轴的推磁电阻传感单元切片,翻转180度,以此来获得X轴的挽磁电阻传感器单元切片,而后通过绑定连接两个切片,其优点在于,制备方法简单,切片只需对应一个铁磁参考层结构,且缺点在于,需要操作2个切片在同一平面内进行精确定位,增加了由于操作失误导致传感器测量精度损失可能性。
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