[发明专利]一种可重置的双极型开关传感器在审

专利信息
申请号: 201810088696.6 申请日: 2018-01-30
公开(公告)号: CN108089139A 公开(公告)日: 2018-05-29
发明(设计)人: 詹姆斯·G·迪克;周志敏 申请(专利权)人: 江苏多维科技有限公司
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09;G01R33/00
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人: 孙仿卫;李萍
地址: 215634 江苏省苏州市张家港*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 重置 磁电阻 传感器 传感单元 衬底 双极型开关 磁滞开关 开关电路 传感臂 双极型 自由层磁化方向 电源电路连接 各向异性场 开关传感器 磁场方向 磁化方向 电源电路 起始状态 输出功能 预先设置 参考层 串并联 低功耗 两端口 引线框 并联 偏置 磁场 串联 敏感 阅读
【说明书】:

发明公开了一种可重置的双极型开关传感器,包括:双极型磁滞开关传感器、重置线圈、ASIC开关电路及重置电源电路,双极型磁滞开关传感器包括:衬底,位于衬底上的磁电阻传感臂,磁电阻传感臂为一个或多个磁电阻传感单元串之间通过串联、并联或者串并联而成的两端口结构,TMR磁电阻传感单元自由层磁化方向仅由各向异性场Hk决定、且和磁场敏感方向和参考层磁化方向均可沿着N或者S方向,重置线圈位于衬底和磁电阻传感单元之间,或者位于衬底下方引线框上,重置磁场方向均同为N或者S方向之一,ASIC开关电路包括偏置功能模块,阅读功能模块和输出功能模块,重置电源电路连接重置线圈。本发明具有低功耗,小尺寸,可预先设置开关传感器起始状态的特点。

技术领域

本发明涉及磁性传感器领域,特别涉及一种可重置的双极型开关传感器。

背景技术

磁电阻开关传感器广泛应用于消费电子、白色家电、三表(电表、水表、气表)、汽车以及工业应用领域。目前主流的磁性开关传感器有霍尔传感器和各向异性(AMR)传感器。在消费电子和三表应用领域,霍尔开关传感器和AMR开关传感器的功耗可达微安,这是在牺牲其工作频率的情况下获得的,其工作频率为几十赫兹,其开关点为几十高斯,在汽车、工业应用等需要高工作频率的环境,霍尔开关传感器和AMR开关传感器的功耗为毫安级,其工作频率为千赫兹级别。

隧道磁电阻TMR元件为敏感元件的传感器具有低功耗的特点,可以工作在千赫兹甚至兆赫兹工作频率,功耗可以达到微安级别,开关工作点为十几高斯,具有高灵敏度和低功耗,响应频率高,体积小的特点。

通常开关传感器一般采用线性磁电阻传感器,在输出电压V和外磁场H的直线工作区域,设定操作点和回复点磁场以及对应的信号输出电压作为参考信号,采用比较器实现矩形高电平和低电平开关信号输出。

TMR线性磁电阻传感器的自由层各向异性场Hk和外磁场Hex为相互垂直关系,且参考层磁化方向垂直于自由层磁化方向,当自由层磁矩随外磁场Hex增加,发生旋转,自由层磁化方向从与参考层磁化方向夹角为90度位置旋转至夹角为0度位置,当反向外磁场-Hex时,则旋转至180度位置,且此时磁电阻R-外磁场H输出特征曲线为线性;另一方面,当自由层各向异性场Hk方向与外磁场Hex方向一致,且参考层磁化方向设置成与自由层磁化方向相互平行,增加外磁场Hex,自由层磁矩M不发生变化,而当外磁场反向-Hex时,在反向外磁场-Hex幅度小于Hk时,自由层磁矩M保持不变,此时,夹角为0度,而当反向外磁场-Hex幅度接近Hk时,自由层磁矩M突然发生反向即变成-M,此时夹角为180度,从而具有矩形的磁滞回线M-Hex特征,对应的磁电阻R-外磁场H曲线也为矩形磁滞回线特征,从而提供了一种新型的双极型磁滞磁电阻传感器开关。

磁滞双极型磁电阻传感器在0外磁场条件下自由层磁化方向M可以存在两种稳定的状态,即与参考层磁化方向夹角为0度和180度的状态,取决于撤去外磁磁场前所施加的外磁场Hex的方向。

因此,为了保证每次测量时能够确保自由层磁化方向M的方向的一致性,可以采用重置线圈产生重置磁场Hr,作用于N或者S方向,并可以选择在测量开始前或者选择在测量完成之后激发Hr,使得自由层磁化方向M已知。

对于TMR线性开关磁电阻传感器电桥,通常采用将一个具有单一磁场敏感方向如X轴的推磁电阻传感单元切片,翻转180度,以此来获得X轴的挽磁电阻传感器单元切片,而后通过绑定连接两个切片,其优点在于,制备方法简单,切片只需对应一个铁磁参考层结构,且缺点在于,需要操作2个切片在同一平面内进行精确定位,增加了由于操作失误导致传感器测量精度损失可能性。

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