[发明专利]半导体装置及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于包括：

光敏元件的阵列；和

栅格，其布置在光敏元件的阵列上，并且对每个光敏元件分别限定了用于接收光的开口，并将每个光敏元件与相邻的光敏元件光学隔离，

其中，所述栅格包括光学隔离部分和在光学隔离部分上方的电介质部分，电介质部分限定了向开口外侧以一角度倾斜的侧壁。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述电介质部分的顶部的截面为三角形或梯形。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于还包括填充在栅格的开口内的光学材料。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，在光学材料与侧壁之间的界面处，光学材料的折射率大于电介质部分的材料的折射率，并且侧壁的倾斜角度被配置为使得从半导体装置外部入射到该界面上的光线被向光敏元件全反射。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，光学隔离部分由不透明材料制成。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述栅格还包括覆盖光学隔离部分的侧面的第二电介质部分。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述电介质部分和所述第二电介质部分由相同的电介质材料制成，或者

所述电介质部分和所述第二电介质部分由不同的电介质材料制成。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述电介质部分包括主体部和覆盖部，该覆盖部覆盖主体部的表面，并且覆盖部和主体部由不同的电介质材料制成。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，所述栅格还包括覆盖光学隔离部分的侧面的第二电介质部分，并且，

所述第二电介质部分与所述电介质部分的主体部和覆盖部中的一个由相同的电介质材料制成，或者

所述第二电介质部分的材料与所述电介质部分的主体部和覆盖部二者的材料都不相同，或者

所述第二电介质部分包括所述电介质部分的主体部和覆盖部二者的材料。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于还包括

微透镜的阵列，其设置在所述栅格上方。