[发明专利]图像传感器及形成图像传感器的方法

说明书

本公开涉及一种图像传感器，包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有各像素单元的光电二极管和浮置扩散区；第一晶体管层，所述第一晶体管层位于所述半导体衬底之上，所述第一晶体管层中形成有第一晶体管的栅极，所述第一晶体管的栅极用于控制将所述光电二极管中的电荷传输到所述浮置扩散区中；以及第二晶体管层，所述第二晶体管层位于所述第一晶体管层之上，所述第二晶体管层中形成有第二晶体管，其中，所述第一晶体管层与所述第二晶体管层为不同的层。本公开还涉及一种形成图像传感器的方法。本公开能够提高光电二极管的填充率。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体来说，涉及一种图像传感器及形成图像传感器的方法。

背景技术

现有技术中，在图像传感器的每个像素单元，半导体衬底中不仅要形成光电二极管，还要形成一些晶体管的源极区和漏极区，这影响了光电二极管的填充率。

因此，存在对新技术的需求。

发明内容

本公开的一个目的是提供一种新型的图像传感器及形成图像传感器的方法。

根据本公开的第一方面，提供了一种图像传感器，包括：半导体衬底，所述半导体衬底中形成有各像素单元的光电二极管和浮置扩散区；第一晶体管层，所述第一晶体管层位于所述半导体衬底之上，所述第一晶体管层中形成有第一晶体管的栅极，所述第一晶体管的栅极用于控制将所述光电二极管中的电荷传输到所述浮置扩散区中；以及第二晶体管层，所述第二晶体管层位于所述第一晶体管层之上，所述第二晶体管层中形成有第二晶体管，其中，所述第一晶体管层与所述第二晶体管层为不同的层。

根据本公开的第二方面，提供了一种形成图像传感器的方法，包括：在所述半导体衬底之上形成第一晶体管层，其中，所述半导体衬底中形成有各像素单元的光电二极管和浮置扩散区，所述第一晶体管层中形成有第一晶体管的栅极，所述第一晶体管的栅极用于控制将所述光电二极管中的电荷传输到所述浮置扩散区中；以及在所述第一晶体管层之上形成第二晶体管层，其中，所述第二晶体管层中形成有第二晶体管。

通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其它特征及其优点将会变得清楚。

附图说明

构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例，并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。

参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本公开，其中：

图1是示意性地示出现有技术中的4T(4-Transistor)型CMOS图像传感器的像素单元的工作模型的示意图。

图2是示意性地示出根据本公开的一个实施例的图像传感器的结构的示意图。

图3是示意性地示出根据本公开的一个实施例的图像传感器的结构的示意图。

图4是示意性地示出根据本公开的一个实施例的图像传感器的结构的示意图。

图5是示意性地示出根据本公开的一个实施例的形成图像传感器的方法的流程的示意图。

图6是示意性地示出根据本公开的一个实施例的形成图像传感器的方法的流程的示意图。

图7是示意性地示出根据本公开的一个实施例的形成图像传感器的方法的流程的示意图。

注意，在以下说明的实施方式中，有时在不同的附图之间共同使用同一附图标记来表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重复说明。在本说明书中，使用相似的标号和字母表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。

为了便于理解，在附图等中所示的各结构的位置、尺寸及范围等有时不表示实际的位置、尺寸及范围等。因此，所公开的发明并不限于附图等所公开的位置、尺寸及范围等。