[发明专利]具有冗余方案的发光二极管显示器和利用集成的缺陷检测测试制造发光二极管显示器的方法有效
| 申请号: | 201810084955.8 | 申请日: | 2014-03-06 |
| 公开(公告)号: | CN108133942B | 公开(公告)日: | 2022-03-25 |
| 发明(设计)人: | A·比布尔;K·V·萨卡里亚;C·R·格里格斯;J·M·珀金斯 | 申请(专利权)人: | 苹果公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L51/52;H01L21/60;H01L25/075 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;张宁 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 冗余 方案 发光二极管 显示器 利用 集成 缺陷 检测 测试 制造 方法 | ||
1.一种具有冗余方案的显示器面板,包括:
包括像素区域的显示器衬底,所述像素区域包括子像素的阵列,每个子像素包括成对的焊区区域;
冗余LED键合位点对的阵列,每个焊区区域包括对应的LED键合位点;
其中所述子像素的阵列包括第一子像素阵列、第二子像素阵列和第三子像素阵列,其中所述第一子像素阵列、所述第二子像素阵列和所述第三子像素阵列被设计为发射不同的主要颜色发射;
用于切换和驱动所述子像素的阵列的电路;以及
一个或多个LED器件不规则部件,位于所述冗余LED键合位点对的阵列之间,其中包含LED器件不规则部件的每个对应的焊区区域与所述电路断开电连接。
2.根据权利要求1所述的显示器面板,其中包含LED器件不规则部件的每个对应的焊区区域被切割以将所述对应的焊区区域与所述电路断开电连接。
3.根据权利要求1所述的显示器面板,其中所述电路被包含在微型控制器芯片的阵列内。
4.根据权利要求3所述的显示器面板,其中所述微型控制器芯片的阵列被键合至所述显示器衬底。
5.根据权利要求4所述的显示器面板,其中每个微型控制器芯片被键合至在所述像素区域内的显示器衬底。
6.根据权利要求5所述的显示器面板,其中每个微型控制器芯片被连接至扫描驱动器电路和数据驱动器电路。
7.根据权利要求1所述的显示器面板,其中所述电路被包含在所述显示器衬底内。
8.根据权利要求1所述的显示器面板,还包括覆盖所述一个或多个LED器件不规则部件的钝化层材料。
9.根据权利要求1所述的显示器面板,还包括键合至所述冗余LED键合位点对的冗余LED器件对的阵列。
10.根据权利要求9所述的显示器面板,其中所述第一子像素阵列被设计为发射红色主要颜色发射,所述第二子像素阵列被设计为发射绿色主要颜色发射,以及所述第三子像素阵列被涉及为发射蓝色主要颜色发射。
11.根据权利要求9所述的显示器面板,还包括与所述冗余LED器件对的阵列电接触的一个或多个顶部电极层。
12.根据权利要求11所述的显示器面板,其中所述一个或多个顶部电极层是与所述冗余LED器件对的阵列电接触的单个顶部电极层。
13.根据权利要求12所述的显示器面板,其中单个顶部电极层与多个接地联络线电接触,所述多个接地联络线在穿过平面化层中形成的多个开口的子像素阵列之间延伸。
14.根据权利要求9所述的显示器面板,其中每个LED器件具有1至100μm的最大宽度。
15.根据权利要求14所述的显示器面板,其中每个LED器件包括半导体材料。
16.根据权利要求15所述的显示器面板,其中每个LED器件包括p掺杂层、n掺杂层和位于所述p掺杂层和所述n掺杂层之间的量子阱层。
17.根据权利要求9所述的显示器面板,其中所述一个或多个顶部电极层并不与所述一个或多个不规则部件电接触。
18.根据权利要求1所述的显示器面板,其中所述显示器面板是有源矩阵显示器面板。
19.根据权利要求1所述的显示器面板,其中所述显示器面板是无源矩阵显示器面板。
20.根据权利要求1所述的显示器面板,还包括:
钝化层材料,覆盖所述一个或多个LED器件不规则部件;
冗余LED器件对的阵列,被键合至所述冗余LED键合位点对,其中每个LED器件具有1μm至30μm的最大宽度;
钝化层,被形成为在所述冗余LED器件对的侧壁周围并且覆盖所述一个或多个LED器件不规则部件;以及
一个或多个顶部电极层,与微控制器芯片的阵列和所述冗余LED器件对的阵列电接触,其中所述一个或多个顶部电极层与所述一个或多个LED器件不规则部件不发生电接触;
其中:
每个LED器件利用直接位于所述LED器件和焊区区域之间的导电键合层而被键合至所述焊区区域;
所述导电键合层包括焊料材料;
包含LED器件不规则部件的每个对应的焊区区域被切割,以断开所述对应的焊区区域与所述电路的电连接;以及
所述电路被包含在所述微控制器芯片的阵列内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苹果公司,未经苹果公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810084955.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





