[发明专利]全背接触式异质结太阳能电池及其制备方法

说明书

本发明公开了一种全背接触式异质结太阳能电池及其制备方法，其中该电池包括单晶硅片、第一本征非晶硅层、第二本征非晶硅层、减反射膜、第一背场、第二背场、发射极和正负电极；其中，第一本征非晶硅层设置在单晶硅片的正面，第二本征非晶硅层设置在单晶硅片的背面，减反射膜设置在第一本征非晶硅层上，第一背场设置在第二本征层之上，发射极设置在第二本征层和第二背场之间，发射极/第二背场和第一背场之间绝缘设置，电极设置在第一背场和第二背场上。本发明提供的全背接触式异质结太阳能电池及其制备方法，从本质上避免了单晶硅片正面的栅线对入射光线的遮挡，可实现4.5％以上的电流增益，有效提升了异质结太阳能电池的光电转换效率。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种全背接触式异质结太阳能电池及其制备方法。

背景技术

异质结太阳能电池具有高效率、高稳定性、低温度系数、可双面发电以及成本下降空间大等优点，有望成为未来的主流光伏技术之一。

现有技术中的异质结太阳能电池通常包括非晶硅薄膜、透明导电膜层(TCO)、栅线电极等，而由于非晶硅薄膜、TCO层对入射太阳光的吸收，以及正面栅线的遮挡等原因，影响了该种结构太阳能电池短路电流密度的进一步提升。

发明内容

本发明的目的是提供一种全背接触式异质结太阳能电池及其制备方法，以解决上述现有技术中的问题，提升电池的短路电流密度，提升电池发电效率。

本发明提供了一种全背接触式异质结太阳能电池，其中，包括：

单晶硅片；

设置在所述单晶硅片的正面的第一本征非晶硅层；

设置在所述单晶硅片的背面的第二本征非晶硅层；

设置在所述第一本征非晶硅层上的减反射膜层；

设置在所述第二本征非晶硅层上的发射极和第一背场，所述发射极和所述第一背场之间绝缘设置；

设置在所述发射极上的第二背场，所述第二背场与所述第一背场之间绝缘设置；

设置在所述第一背场和所述第二背场上的电极。

如上所述的全背接触式异质结太阳能电池，其中，优选的是，所述单晶硅片为N型单晶硅片。

如上所述的全背接触式异质结太阳能电池，其中，优选的是，所述第一本征非晶硅层和所述第二本征非晶硅层均为本征非晶硅薄膜或本征非晶硅氧合金薄膜。

如上所述的全背接触式异质结太阳能电池，其中，优选的是，所述电极为银栅电极或铜电极。

如上所述的全背接触式异质结太阳能电池，其中，优选的是，所述发射极为P型非晶硅薄膜或P型微晶硅薄膜。

本发明还提供了一种全背接触式异质结太阳能电池制备方法，其中，包括如下步骤：

在单晶硅片的正面形成第一本征非晶硅层；

在所述第一本征非晶硅层上形成减反射膜；

在所述单晶硅片的背面形成第二本征非晶硅层；

在所述第二本征非晶硅层上的第一区域内形成发射极；

在所述第二本征非晶硅层上的除所述第一区域以外的其它区域和所述发射极上形成背场；

将所述第一区域上的所述发射极以及所述发射极上的背场与除所述第一区域以外的其它区域上的所述背场绝缘；

在所述背场上形成电极。

如上所述的全背接触式异质结太阳能电池制备方法，其中，优选的是，在所述第二本征非晶硅层上的第一区域内形成发射极之前还包括：