[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，所述基底部分表面具有栅极，所述栅极一侧的所述基底内具有掺杂区，所述基底表面还具有覆盖所述掺杂区顶部、所述栅极顶部及侧壁的介质层；在所述介质层内形成凹槽，所述凹槽露出所述掺杂区顶部；在所述介质层内形成通孔，所述通孔露出所述栅极部分顶部；形成填充满所述凹槽的第一导电掺杂层，所述第一导电掺杂层与所述掺杂区形成欧姆接触；形成填充满所述通孔的第二导电掺杂层，所述第二导电掺杂层与所述栅极形成欧姆接触。本发明能够降低所述掺杂区顶部表面的接触电阻，并且能够降低所述栅极顶部表面的接触电阻，有助于减少热损耗，改善半导体结构的性能，提高半导体结构的传输速度。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

图像传感器是一种将光学图像转换成电子信号的设备，它被广泛的应用在如数码相机等电子光学设备中。根据数字数据传送方式的不同，图像传感器可分为电荷耦合元件(CCD，Charge Coupled Device)和金属氧化物半导体元件(CMOS，Complementary Metal-Oxide Semiconductor)两大类。其中，CMOS图像传感器(CIS，CMOS Image Sensor)由于具有集成度高、功耗小、速度快、成本低等特点，在近几年发展迅速，越来越多地取代CCD图像传感器应用于各类电子产品中。

但是，CMOS图像传感器的传输速度仍有待提高。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，能够降低所述掺杂区顶部表面的接触电阻，并且能够降低所述栅极顶部表面的接触电阻，有助于减少热损耗，改善半导体结构的性能，提高半导体结构的传输速度。

为解决上述问题，本发明提供一种半导体结构形成方法，包括：提供基底，所述基底部分表面具有栅极，所述栅极一侧的所述基底内具有掺杂区，所述基底表面还具有覆盖所述掺杂区顶部、所述栅极顶部及侧壁的介质层；在所述介质层内形成凹槽，所述凹槽露出所述掺杂区顶部；在所述介质层内形成通孔，所述通孔露出所述栅极部分顶部；形成填充满所述凹槽的第一导电掺杂层，所述第一导电掺杂层与所述掺杂区形成欧姆接触；形成填充满所述通孔的第二导电掺杂层，所述第二导电掺杂层与所述栅极形成欧姆接触。

可选的，所述第一导电掺杂层材料为多晶硅或锗化硅；所述第二导电掺杂层材料为多晶硅或锗化硅。

可选的，所述第二导电掺杂层材料与所述第一导电掺杂层材料相同；在同一工艺步骤中，形成所述第一导电掺杂层及所述第二导电掺杂层。

可选的，所述第一导电掺杂层材料与所述掺杂区材料的功函数相等；所述第二导电掺杂层材料与所述栅极材料的功函数相等。

可选的，所述第一导电掺杂层的材料为多晶硅；所述第二导电掺杂层的材料为多晶硅。

可选的，所述掺杂区内掺杂有N型离子或P型离子，所述第一导电掺杂层内掺杂有N型离子或P型离子，所述掺杂区内的掺杂离子与所述第一导电掺杂层内的掺杂离子类型相同。

可选的，所述第一导电掺杂层内掺杂有N型离子，所述N型离子的注入剂量大于1E16atoms/cm²。

可选的，所述栅极内掺杂有N型离子或P型离子，所述第二导电掺杂层内掺杂有N型离子或P型离子，所述栅极内的掺杂离子与所述第二导电掺杂层内的掺杂离子类型相同。

可选的，所述第二导电掺杂层内掺杂有N型离子，所述N型离子的注入剂量大于1E16 atoms/cm²；所述掺杂区用于形成像素器件的浮动扩散区。

可选的，所述基底包括像素区域，且形成的所述半导体结构包括像素器件。