[发明专利]一种GaN基LED晶片金属电极图形制作方法

权利要求书

1.一种GaN基LED晶片金属电极图形制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

a)制备生长完成外延层的GaN基外延片，该GaN基外延片自下而上分别为衬底层（1）、N型GaN层（2）、量子阱层（3）以及P型GaN层（4）,在外延片N区使用刻蚀机刻蚀到N型GaN层（2），形成N电极区；

b)在P型GaN层（4）上利用电子束蒸发台生长ITO层（5），使用光刻胶制作掩膜图形，利用湿法腐蚀工艺腐蚀出ITO图形，腐蚀完成后对ITO层（5）进行高温退火处理，高温退火处理时温度为500-580℃，使用接触式退火设备进行退火处理，退火时间为10-15min；

c)在GaN基外延片放置于电子束蒸发台中在真空环境下加热蒸镀一层氯化铯层（6），加热蒸镀氯化铯层（6）的温度为100-150℃，氯化铯层（6）的厚度为3000-10000埃，蒸镀速率为5-10埃/秒；

d)使用负性光刻胶在GaN基外延片表面进行涂胶，将涂胶后的GaN基外延片放置到热板上进行第一次烘烤，涂胶厚度为5000-15000埃，第一次烘烤温度为80-110℃，时间为3-10min；

e)将GaN基外延片进行曝光操作，将曝光后的GaN基外延片放置到热板上进行第二次烘烤，第二次烘烤温度为80-110℃，时间为3-10min；

f)将GaN基外延片放入显影液中显影，显影时间为20-50秒，显影液温度为50-70℃，显影液保持恒温，显影的同时进行超声处理，超声完成后使用有机溶剂进行去胶操作；

g)将GaN基外延片放置到电子束蒸发台内，在常温真空环境下进行金属电极蒸镀；

h)将GaN基外延片放置到纯水中，进行超声处理；

i)使用粘性膜粘贴掉ITO层（5）上的氯化铯层（6）与附着在氯化铯层（6）表面的P、N金属电极（7），使用粘性膜粘贴掉N型GaN层（2）上的氯化铯层（6）与附着在氯化铯层（6）表面的P、N金属电极（7），得到金属电极图形。

2.根据权利要求1所述的GaN基LED晶片金属电极图形制作方法，其特征在于：所述步骤b)中利用电子束蒸发台生长ITO层（5）时电子束蒸发台腔室温度为220-350℃，ITO层（5）的厚度为600-3600埃。

3.根据权利要求1所述的GaN基LED晶片金属电极图形制作方法，其特征在于：所述步骤b)中光刻胶为正性光刻胶，光刻胶厚度为10000-30000埃。

4.根据权利要求1所述的GaN基LED晶片金属电极图形制作方法，其特征在于：所述步骤c)中真空环境中的真空值不低于9.0E-6Torr。

5.根据权利要求1所述的GaN基LED晶片金属电极图形制作方法，其特征在于：所述步骤f)中超声处理中超声功率为20-50kHz,超声时间为3-5min，有机溶剂采用丙酮溶液，采用有机溶液去胶后进行干燥处理。

6.根据权利要求1所述的GaN基LED晶片金属电极图形制作方法，其特征在于：所述步骤h)中超声处理中超声功率为60-80kHz,超声时间为5-10min。