[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

接触插塞，形成在半导体衬底上方；

第一布线，耦合到所述接触插塞的上表面；和

狭缝，形成在所述第一布线中，并且在顶视图中被所述第一布线包围，

其中所述接触插塞形成在所述第一布线的端部处，并且所述狭缝形成在顶视图中在第一方向上与所述接触插塞分开的位置处，

其中在所述第一方向上的所述第一布线的所述端部的边缘与所述狭缝的在所述接触插塞侧上的边缘之间的距离大于或等于顶视图中在所述第一方向上的所述接触插塞的上表面的第一直径且小于或等于所述第一直径的两倍，以及

其中在所述狭缝中不存在布线。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第一布线的侧表面倾斜，使得所述第一布线在所述第一方向上的宽度从所述第一布线的上表面向所述第一布线的下表面减小，以及

其中所述接触插塞的上表面的一半以上与所述第一布线接触。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中所述第一布线的下表面形成至比所述接触插塞的上表面低的位置，以及

其中所述接触插塞的每个侧表面的一部分与所述第一布线接触。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中顶视图中所述狭缝在与所述第一方向正交的第二方向上的长度至少是顶视图中所述接触插塞的上表面在所述第二方向上的第二直径的2.5倍。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第一布线的侧表面倾斜，使得所述第一布线在所述第一方向上的宽度从所述第一布线的上表面向所述第一布线的下表面减小，

其中所述接触插塞的上表面的一半以上与所述第一布线接触，

其中顶视图中所述狭缝在与所述第一方向正交的第二方向上的长度至少是顶视图中所述接触插塞的上表面在所述第二方向上的第二直径的2.5倍，

其中所述第一布线的侧表面具有在所述第一方向上形成所述狭缝的第一区域和在所述第一方向上未形成所述狭缝的第二区域，以及

其中所述第一区域中的所述第一布线的侧表面的倾斜度小于所述第二区域中的所述第一布线的侧表面的倾斜度。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第一布线的上表面在所述第一方向上的宽度至少是所述第一直径的2.5倍。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第一直径是70nm或更小。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中顶视图中所述狭缝在所述第一方向上的宽度等于或大于所述第一直径。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第一布线具有在所述第一方向上从所述第一布线的端部突出的突出部分，以及

其中所述接触插塞耦合到所述突出部分中的所述第一布线。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，

其中所述突出部分的上表面在所述第一方向上的长度等于或小于所述第一直径。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第一绝缘膜，形成在所述半导体衬底上方；

接触孔，形成在所述第一绝缘膜中并到达所述半导体衬底；

第二绝缘膜，形成在所述第一绝缘膜上方；和

布线槽，形成在所述第二绝缘膜中，

其中所述接触插塞通过将第一导电膜嵌入所述接触孔而形成，

其中所述第一布线通过将第二导电膜嵌入所述布线槽中而形成，以及

其中所述狭缝是其中所述第二绝缘膜保留的区域，并且是在平面图中由所述第二导电膜围绕的区域。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，

其中所述第一导电膜包含钨，以及

其中所述第二导电膜包含铜。