[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，其包括：

形成具有高宽高比的底电极；

通过在底电极的表面上顺序地执行第一等离子体工艺和第二等离子体工艺来形成界面层；

在界面层之上形成电介质层；以及

在电介质层之上形成顶电极，

其中，底电极包括下底电极和上底电极，以及

第一等离子体工艺局部氮化上底电极的表面，以及

第二等离子体工艺氧化下底电极和上底电极的氮化表面。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成界面层的步骤包括：

在低压下在离子等离子体主导的氛围中执行第一等离子体工艺，以及

在高压下在自由基等离子体主导的氛围中执行第二等离子体工艺。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在比执行第一等离子体工艺的压力更高的压力下执行第二等离子体工艺。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，第二等离子体工艺在比1托更高的压力下执行，以及第一等离子体工艺在比100毫托更低的压力下执行。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成界面层的步骤包括：

在低压下在氮离子等离子体主导的氛围中执行第一等离子体工艺，以及

在高压下在氧自由基等离子体主导的氛围中执行第二等离子体工艺。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，第一等离子体工艺包括低压等离子体氮化，以及

第二等离子体工艺包括高压等离子体氧化。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，底电极包括具有1:10的宽高比的圆筒形。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，底电极包括具有1:10的宽高比的柱形。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，底电极包括金属氮化物。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，底电极包括氮化钛或氮化钽。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，界面层包括金属氧化物。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，界面层包括氧化钛或氧化钽。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，电介质层包括ZAZ（ZrO₂/Al₂O₃/ZrO₂）或者HAH（HfO₂/Al₂O₃/HfO₂）。

14.一种制造半导体器件的方法，其包括：

在下结构之上形成模具层；

通过刻蚀模具层来形成开口；

在开口内部形成包括金属氮化物的底电极；

通过去除模具层来暴露出底电极；

通过将底电极顺序地暴露于低压等离子体氮化工艺和高压等离子体氧化工艺而在底电极之上形成界面层；

在界面层之上形成电介质层；以及

在电介质层之上形成顶电极，

其中，底电极包括下底电极和上底电极，以及

低压等离子体氮化工艺局部氮化上底电极的表面，以及

高压等离子体氧化工艺氧化下底电极和上底电极的氮化表面。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，低压等离子体氮化工艺在低压下在氮离子等离子体主导的氛围中执行，以及

高压等离子体氧化工艺在高压下在氧自由基等离子体主导的氛围中执行。