[发明专利]一种抗单粒子翻转的寄存器文件存储阵列写单元

权利要求书

1.一种抗单粒子翻转的寄存器文件存储阵列写单元，由6选1多路选择单元、双稳态单元、12管双端写加固单元、双端写加固使能产生单元、第五反相器和第六反相器组成，其特征在于，所述6选1多路选择单元的输入端口作为所述存储阵列写单元的输入端口，所述6选1多路选择单元的输出端口bit和bit_n与所述双稳态单元的输入端口连接，所述双稳态单元的输出端口与所述第五反相器的输入端口连接，所述双稳态单元的输出端口、所述第五反相器的输出端口和所述双端写加固使能产生单元的输出端口同时与所述12管双端写加固单元的输入端口连接，所述12管双端写加固单元的输出端口连接至所述第六反相器的输入端口，所述第六反相器的输出端口作为所述存储阵列写单元的输出端口；

所述双稳态单元生成输出信号BL，所述第五反相器生成输出信号BL，所述双端写加固使能产生单元生成输出信号WL；所述12管双端写加固单元由第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第二十一NMOS管、第二十二NMOS管、第二十三NMOS管、第二十四NMOS管、第二十五NMOS管、第二十六NMOS管、第二十七NMOS管和第二十八NMOS管组成；其中，第二十五NMOS管的漏极Nd25连接第三PMOS管的源极Ps3与第四PMOS管的栅极Pg4并形成节点X1，所述节点X1连接至第二十一NMOS管的漏极Nd21及第二十八NMOS管的栅极Ng28；第二十六NMOS管的漏极Nd26连接第四PMOS管的源极Ps4与第五PMOS管的栅极Pg5并形成节点X2，所述节点X2连接至第二十二NMOS管的漏极Nd22及第二十五NMOS管的栅极Ng25；第二十七NMOS管的漏极Nd27连接第五PMOS管的源极Ps5与第六PMOS管的栅极Pg6并形成节点X3，所述节点X3连接至第二十三NMOS管的漏极Nd23及第二十六NMOS管的栅极Ng26；第二十八NMOS管的漏极Nd28连接第六PMOS管的源极Ps6与第三PMOS管的栅极Pg3并形成节点X4，所述节点X4连接至第二十四NMOS管的漏极Nd24及第二十七NMOS管的栅极Ng27；所述第二十一NMOS管、第二十二NMOS管、第二十三NMOS管和第二十四NMOS管的栅极Ng21、Ng22、Ng23和Ng24共同连接至所述双端写加固使能产生单元的输出信号WL；第二十一NMOS管的源极Ns21和第二十三NMOS管的源极Ns23连接至所述第五反相器的输出信号BL；第二十二NMOS管的源极Ns22、第二十四NMOS管的源极Ns24连接至所述双稳态单元的输出信号BL；第二十五NMOS管、第二十六NMOS管、第二十七NMOS管和第二十八NMOS管的源极Ns25、Ns26、Ns27和Ns28均接GND；第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管和第六PMOS管的漏极Pd3、Pd4、Pd5和Pd6均接VDD；所述节点X2和所述节点X4连接作为所述12管双端写加固单元的输出端口产生输出信号Q1。

2.根据权利要求1所述的一种抗单粒子翻转的寄存器文件存储阵列写单元，其特征在于，所述存储阵列写单元具有12个输入端口和1个输出端口，所述12个输入端口分别连接输入信号w0_wl、w0_bl、w1_wl、w1_bl、w2_wl、w2_bl、w3_wl、w3_bl、w4_wl、w4_bl、w5_wl、w5_bl，其中，w0_wl、w1_wl、w2_wl、w3_wl、w4_wl和w5_wl为写字线，w0_bl、w1_bl、w2_bl、w3_bl、w4_bl和w5_bl为写位线，所述输出端口的输出信号为bit_bf，作为写入存储单元的数据。