[发明专利]成像装置和电子设备有效
申请号: | 201810082859.X | 申请日: | 2016-03-17 |
公开(公告)号: | CN108447878B | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 加藤菜菜子;若野寿史;田中裕介;大竹悠介 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/3745 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 卫李贤;曹正建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 成像 装置 电子设备 | ||
1.一种成像装置,其包括:
第一单元,包括第一传输晶体管、第二传输晶体管,以及位于所述第一传输晶体管和所述第二传输晶体管的光入射侧的第一滤色器;
第二单元,包括第三传输晶体管、第四传输晶体管,以及位于所述第三传输晶体管和所述第四传输晶体管的光入射侧的第二滤色器;
第三单元,包括第五传输晶体管、第六传输晶体管,以及位于所述第五传输晶体管和所述第六传输晶体管的光入射侧的第三滤色器;
第四单元,包括第七传输晶体管、第八传输晶体管,以及位于所述第七传输晶体管和所述第八传输晶体管的光入射侧的第四滤色器,
其中,所述第一传输晶体管、所述第二传输晶体管、所述第三传输晶体管、所述第四传输晶体管、所述第五传输晶体管、所述第六传输晶体管、所述第七传输晶体管和所述第八传输晶体管沿着相同的像素行沿水平方向按顺序布置;
第一传输控制信号线,沿所述水平方向延伸且电连接到所述第一传输晶体管的栅极和所述第五传输晶体管的栅极;
第二传输控制信号线,沿所述水平方向延伸且电连接到所述第二传输晶体管的栅极和所述第六传输晶体管的栅极;
第三传输控制信号线,沿所述水平方向延伸且电连接到所述第三传输晶体管的栅极;
第四传输控制信号线,沿所述水平方向延伸且电连接到所述第四传输晶体管的栅极;
第五传输控制信号线,沿所述水平方向延伸且电连接到所述第七传输晶体管的栅极;以及
第六传输控制信号线,沿所述水平方向延伸且电连接到所述第八传输晶体管的栅极。
2.根据权利要求1所述的成像装置,其中,
所述第一滤色器用于提取在第一波长范围内的光,
所述第二滤色器用于提取在第二波长范围内的光,
所述第三滤色器用于提取在第三波长范围内的光,并且
所述第四滤色器用于提取在第四波长范围内的光。
3.根据权利要求2所述的成像装置,其中,
所述第一波长范围和所述第三波长范围相同,
所述第二波长范围和所述第四波长范围相同,并且
所述第一波长范围和所述第二波长范围是不同的。
4.根据权利要求1所述的成像装置,其中,
所述第一单元还包括位于所述第一滤色器的光入射侧的第一片上透镜,
所述第二单元还包括位于所述第二滤色器的光入射侧的第二片上透镜,
所述第三单元还包括位于所述第三滤色器的光入射侧的第三片上透镜,并且
所述第四单元还包括位于所述第四滤色器的光入射侧的第四片上透镜。
5.根据权利要求1所述的成像装置,其中,
所述第一单元还包括电连接到所述第一传输晶体管和所述第二传输晶体管的第一浮动扩散部,
所述第二单元还包括电连接到所述第三传输晶体管和所述第四传输晶体管的第二浮动扩散部,
所述第三单元还包括电连接到所述第五传输晶体管和所述第六传输晶体管的第三浮动扩散部,并且
所述第四单元还包括电连接到所述第七传输晶体管和所述第八传输晶体管的第四浮动扩散部。
6.根据权利要求5所述的成像装置,其中,
所述第一浮动扩散部经由第一布线电连接到所述第二浮动扩散部,
所述第三浮动扩散部经由第二布线电连接到所述第四浮动扩散部。
7.根据权利要求6所述的成像装置,其还包括:
第一放大晶体管,经由所述第一布线电连接到所述第一浮动扩散部和所述第二浮动扩散部,以及
第二放大晶体管,经由所述第二布线电连接到所述第三浮动扩散部和所述第四浮动扩散部。
8.根据权利要求7所述的成像装置,其还包括:
第一垂直信号线,连接到所述第一放大晶体管,其中所述第一垂直信号线沿垂直方向延伸;以及
第二垂直信号线,连接到所述第二放大晶体管,其中所述第二垂直信号线沿所述垂直方向延伸。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的