[发明专利]一种用于清洗经化学机械抛光的晶片的清洗组合物

权利要求书

1.一种用于清洗经化学机械抛光的晶片的清洗组合物，其包含聚乙烯亚胺、链烷醇胺、金属腐蚀抑制剂和任选的非离子表面活性剂。

2.如权利要求1所述的清洗组合物，其特征在于：聚乙烯亚胺的含量为0.01-40重量％，优选为5-30重量％，更优选为10-30重量％；链烷醇胺的含量为0.001-20重量％，优选为0.1-15重量％，更优选为1-10重量％；金属腐蚀抑制剂的含量为0.0005-5重量％，优选为0.0005-1.5重量％，更优选为0.1-1.5重量％；非离子表面活性剂的含量为0-1重量％，优选为0-0.05重量％；各自基于所述清洗组合物的总重量。

3.如权利要求1或2所述的清洗组合物，其特征在于：聚乙烯亚胺为直链或支化的，其重均分子量Mw为100-10000，优选为100-5000，更优选为100-2000。

4.如权利要求1-3中任一项所述的清洗组合物，其特征在于：所述链烷醇胺选自乙醇胺(MEA)、二乙醇胺(DEA)、三乙醇胺(TEA)、异丙醇胺、甲基二乙醇胺、二甲基乙醇胺和羟乙基乙二胺中的一种或多种；优选选自乙醇胺、异丙醇胺或三乙醇胺。

5.如权利要求1-4中任一项所述的清洗组合物，其特征在于：所述金属腐蚀抑制剂为含氮环化合物，例如三唑、四唑、苯并三唑、噻二唑、苯基叠氮、咪唑、苯并咪唑、苯并噻唑、尿素以及上述化合物的衍生物。

6.如权利要求5所述的清洗组合物，其特征在于：所述金属腐蚀抑制剂选自如下组：苯并三唑(BTA)、1,2,4-三唑(TAZ)、5-氨基四唑(ATA)、1-羟基苯并三唑、5-氨基-1,3,4-噻二唑-2-硫醇、3-氨基-1H-1,2,4-三唑、3,5-二氨基-1,2,4-三唑、甲苯基三唑、5-苯基苯并三唑、5-硝基苯并三唑、3-氨基-5-巯基-1,2,4-三唑、1-氨基-1,2,4-三唑、2-(5-氨基戊基)-苯并三唑、1-氨基-1,2,3-三唑、1-氨基-5-甲基-1,2,3-三唑、3-巯基-1,2,4-三唑、3-异丙基-1,2,4-三唑和1-苯基-1H-四唑-5-硫醇；优选选自苯并三唑。

7.如权利要求1-6中任一项所述的清洗组合物，其特征在于：所述非离子表面活性剂为聚氧乙烯型非离子表面活性剂。

8.如权利要求7所述的清洗组合物，其特征在于:所述非离子表面活性剂选自烷基聚氧乙烯醚、烷基酚聚氧乙烯醚、脂肪醇聚氧乙烯醚、脂肪酸聚氧乙烯醚、脂肪胺聚氧乙烯醚、脂肪酰胺聚氧乙烯醚和氧化乙烯-氧化丙烯共聚物中的一种或多种。

9.如权利要求1-8中任一项所述的清洗组合物，其特征在于：所述清洗组合物的pH值大于8，优选至少为10。

10.如权利要求1-9中任一项所述的清洗组合物，其特征在于：所述清洗组合物不含任何季铵碱、抗氧化剂、酰胺或多官能酸。

11.如权利要求1-10任一项所述的清洗组合物在清洗经化学机械抛光的晶片中的用途。

12.如权利要求11所述的用途，其特征在于：所述晶片包含铜、钽、氮化钽、钛或氮化钛。

13.如权利要求11或12所述的用途，其用于在化学机械抛光的机台上清洗经抛光的晶片表面，或者用于在独立的清洗机台上清洗经抛光的晶片表面。

14.一种清洗经化学机械抛光的晶片的方法，包括使如权利要求1-10任一项所述的清洗组合物与经化学机械抛光的晶片接触。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述清洗组合物在用超纯水稀释约1:1-1:200倍后使用。