[发明专利]扇出型封装方法在审
申请号: | 201810082504.0 | 申请日: | 2018-01-29 |
公开(公告)号: | CN108321113A | 公开(公告)日: | 2018-07-24 |
发明(设计)人: | 谭小春;高阳 | 申请(专利权)人: | 合肥矽迈微电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 高翠花;翟羽 |
地址: | 230001 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶粒 封装体 焊垫 切割 扇出型封装 晶圆 去除 缩短生产周期 塑封体表面 表面设置 切割工具 载体连接 电连接 塑封体 暴露 良率 塑封 电路 节约 外部 | ||
1.一种扇出型封装方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供一晶圆,所述晶圆包括多个晶粒,所述多个晶粒设置在一第一载体上,相邻的两个晶粒之间具有一第一距离,所述晶粒包括设置有焊垫的正面及与所述正面相对的背面,所述背面与所述第一载体连接;
提供一第二载体;
将所述晶粒转移至所述第二载体上,所述晶粒的背面与所述第二载体连接,在所述第二载体上,相邻的晶粒之间具有一第二距离,所述第二距离大于所述第一距离;
提供一第三载体;
将所述晶粒转移至所述第三载体上,所述晶粒的焊垫与所述第三载体连接;
去除所述第二载体;
塑封所述晶粒,形成第一塑封体,所述第一塑封体包覆所述晶粒并暴露出所述第三载体;
去除所述第三载体,所述晶粒的焊垫暴露于所述第一塑封体表面;
在所述第一塑封体暴露所述晶粒的焊垫的表面设置电路,实现所述晶粒与外部的电连接;
切割,形成独立的封装体。
2.根据权利要求1所述的扇出型封装方法,其特征在于,所述晶粒等间距排列在所述第二载体上。
3.根据权利要求1所述的扇出型封装方法,其特征在于,在去除所述第三载体步骤后,还包括一对暴露于所述第一塑封体表面的晶粒的焊垫进行表面处理的步骤。
4.根据权利要求3所述的扇出型封装方法,其特征在于,所述表面处理为除蜡或者整平处理。
5.根据权利要求1所述的扇出型封装方法,其特征在于,在所述第一塑封体暴露所述晶粒的焊垫的表面设置电路的步骤具体包括如下步骤:
在所述第一塑封体暴露所述晶粒的焊垫的表面制作重布线层;
采用第二塑封体塑封所述重布线层,并暴露出所述重布线层的金属垫;
在所述第二塑封体表面对应所述重布线层的金属垫的位置形成引脚。
6.根据权利要求5所述的扇出型封装方法,其特征在于,在所述第二塑封体表面对应所述重布线层的金属垫的位置,通过植金属球或沉积金属层的方式形成引脚。
7.根据权利要求1所述的扇出型封装方法,其特征在于,所述晶粒的焊垫为设置在晶粒表面的金属球。
8.根据权利要求1所述的扇出型封装方法,其特征在于,所述第三载体为热解膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造