[发明专利]图案化方法

权利要求书

1.一种图案化方法，其特征在于，包含有：

提供一基底，其上具有层间介电层；目标层，位于该层间介电层上；硬掩模层，位于该目标层上；先进图案化膜，位于该硬掩模层上；下部图案转移层，位于该先进图案化膜上；及上部图案转移层，位于该下部图案转移层上，其中先进图案化膜由非晶碳层制成；

进行第一自对准反向图案化制作工艺，以将该上部图案转移层图案化成该下部图案转移层上的一上部图案掩模，其中该上部图案掩模包括沿着第一方向延伸的直线形结构图案；

进行第二自对准反向图案化制作工艺，以将该下部图案转移层图案化成一下部图案掩模，其中该下部图案掩模包括沿着第二方向延伸的直线形结构图案，其中该第二方向不垂直于该第一方向，其中该上部图案掩模及该下部图案掩模一起定义孔图案的阵列；

在该孔图案的阵列填充一有机介电层；

回蚀该有机介电层及该上部图案掩模，直到该下部图案掩模被暴露出来；

移除该下部图案掩模，留下该硬掩模层上剩余的该有机介电层以形成岛状图案；

以该岛状图案作为蚀刻硬掩模，将该硬掩模层图案化为硬掩模图案；及

以该硬掩模图案作为蚀刻硬掩模，将该目标层图案化为目标图案，其中每个所述目标图案的细长的顶部部分比其剩余的底部部分宽，以及层间介电层的顶部部分具有下沉中间部分。

2.如权利要求1所述的图案化方法，其中该下部图案转移层包含多晶硅。

3.如权利要求2所述的图案化方法，其中该上部图案转移层包含氮化硅。

4.如权利要求1所述的图案化方法，其中该硬掩模层包含氮化硅。

5.如权利要求1所述的图案化方法，其中该目标层包含钨。

6.如权利要求1所述的图案化方法，其中该第一自对准反向图案化制作工艺包含：

在该上部图案转移层上形成一第一结构层；

进行光刻及蚀刻制作工艺，将该第一结构层图案化成形成沿一第一方向延伸的第一直线形结构图案；

在该第一直线形结构图案的侧壁上形成第一间隙壁；

去除该第一直线形结构图案；

以该第一间隙壁作为蚀刻硬掩模，将该上部图案转移层图案化成上部图案掩模；及

去除该第一间隙壁。

7.如权利要求6所述的图案化方法，其中该第一结构层包含一有机介电材料。

8.如权利要求7所述的图案化方法，其中该第一间隙壁包含氧化硅。

9.如权利要求6所述的图案化方法，其中该第二自对准反向图案化制作工艺包含：

在该上部图案掩模上形成一第二结构层；

进行光刻及蚀刻制作工艺，将该第二结构层图案化成形成沿一第二方向延伸的第二直线形结构图案；

在该第二直线形结构图案的侧壁上形成第二间隙壁；

去除该第二直线形结构图案；

以该第二间隙壁及该上部图案掩模作为蚀刻硬掩模，蚀刻该下部图案转移层，如此形成下部图案掩模；及

去除该第二间隙壁。

10.如权利要求1所述的图案化方法，其中另包含：

在该先进图案化膜上提供一抗反射层。

11.如权利要求10所述的图案化方法，其中该抗反射层包含氮氧化硅。

12.如权利要求1所述的图案化方法，其中该基底包含层间介电层及该层间介电层中的接触元件。

13.如权利要求12所述的图案化方法，其中该目标图案直接形成在该层间介电层上，其中该目标图案分别电耦合到该接触元件。