[发明专利]会聚离子束装置

权利要求书

1.一种会聚离子束装置，其具有：真空容器；配置在所述真空容器内、末端被尖锐化的发射尖锥；气体电场电离离子源，其在所述发射尖锥的末端产生气体离子；会聚透镜，其使从所述气体电场电离离子源释放的离子束会聚；第一偏转器，其使通过所述会聚透镜后的所述离子束偏转；第一光圈，其配置在所述会聚透镜与所述第一偏转器之间，对通过所述会聚透镜后的所述离子束进行限制；物镜，其使通过所述第一偏转器后的所述离子束会聚；以及试样台，其载置测定试样，其特征在于，

在至少具有所述会聚透镜、所述第一光圈、所述第一偏转器以及所述物镜的光学系统与所述试样台之间形成针对所述离子束在点状区域中发生反应的信号产生源，

以使从所述信号产生源输出的信号和由所述第一偏转器对所述离子束进行的扫描对应的方式生成所述发射尖锥的扫描电场离子显微镜像。

2.根据权利要求1所述的会聚离子束装置，其特征在于，

所述信号产生源以能够相对于所述离子束的照射轴插拔的方式配置在所述试样台上。

3.根据权利要求1所述的会聚离子束装置，其特征在于，

所述信号产生源具有对所述离子束进行限制的第二光圈。

4.根据权利要求3所述的会聚离子束装置，其特征在于，

该会聚离子束装置还具有第二光圈控制装置，该第二光圈控制装置使所述第二光圈以能够插拔的方式在所述离子束的照射轴上移动。

5.根据权利要求3或4所述的会聚离子束装置，其特征在于，

所述信号产生源具有对在所述第二光圈中产生的二次电子或在使所述离子束入射到配置在所述试样台上的均匀结构的参照试样时产生的二次电子进行测定的二次电子检测器。

6.根据权利要求3或4所述的会聚离子束装置，其特征在于，

所述信号产生源具有与所述第二光圈连接的电流计。

7.根据权利要求3或4所述的会聚离子束装置，其特征在于，

所述信号产生源具有配置在所述第二光圈的后级的法拉第杯或通道电子倍增器。

8.根据权利要求5所述的会聚离子束装置，其特征在于，

通过由所述第一偏转器对所述离子束进行扫描并由所述二次电子检测器对释放的二次电子进行检测，形成扫描电场离子显微镜像。