[发明专利]利用碳纳米管膜转移二维纳米材料的方法

权利要求书

1.一种利用碳纳米管膜转移二维纳米材料的方法，其具体包括以下步骤：

提供一第一基底，所述第一基底表面形成有二维纳米材料；

将一碳纳米管膜结构覆盖于所述第一基底生长有二维纳米材料的表面；

用腐蚀液去除所述第一基底，并将所述二维纳米材料与所述碳纳米管膜结构形成的一二维纳米材料/碳纳米管膜结构复合结构置于一清洗液清洗；

提供一目标基底，利用所述目标基底捞起所述二维纳米材料/碳纳米管膜结构复合结构，使所述目标基底与所述二维纳米材料贴合；

去除所述碳纳米管膜结构，所述二维纳米材料转移至所述目标基底的表面。

2.如权利要求1所述的利用碳纳米管膜转移二维纳米材料的方法，其特征在于，所述二维纳米材料为石墨烯、硫化钼及氮化硼中的一种。

3.如权利要求1所述的利用碳纳米管膜转移二维纳米材料的方法，其特征在于，所述碳纳米管膜结构为一自支撑结构，由至少两层碳纳米管膜交叉层叠设置而成。

4.如权利要求3所述的利用碳纳米管膜转移二维纳米材料的方法，其特征在于，所述碳纳米管膜包括多个首尾相连且沿同一方向延伸的碳纳米管，所述多个碳纳米管的延伸方向基本平行于所述碳纳米管膜的表面，相邻两层碳纳米管膜中的碳纳米管的延伸方向形成一夹角α，0°α≤90°。

5.如权利要求1所述的利用碳纳米管膜转移二维纳米材料的方法，其特征在于，所述清洗液为酸溶液或超纯水。

6.如权利要求1所述的利用碳纳米管膜转移二维纳米材料的方法，其特征在于，利用所述目标基底捞起所述二维纳米材料/碳纳米管膜结构复合结构后，进一步干燥所述目标基底及所述目标基底表面的二维纳米材料/碳纳米管膜结构复合结构，使所述目标基底与所述二维纳米材料紧密结合。

7.如权利要求1所述的利用碳纳米管膜转移二维纳米材料的方法，其特征在于，所述去除所述碳纳米管膜结构的方法具体包括以下步骤：

在所述碳纳米管膜结构远离所述目标基底的表面形成一高分子聚合物膜；

采用加热或辐照处理所述高分子聚合物膜；

撕下所述高分子聚合物膜，所述碳纳米管膜结构随所述高分子聚合物膜撕下而被去除。

8.如权利要求7所述的利用碳纳米管膜转移二维纳米材料的方法，其特征在于，经加热或辐照处理后，所述高分子聚合物膜内部的交联程度变高，所述碳纳米管膜结构与所述高分子聚合物膜之间的结合力大于所述碳纳米管膜结构与所述二维纳米材料之间的结合力。

9.如权利要求1所述的利用碳纳米管膜转移二维纳米材料的方法，其特征在于，所述去除所述碳纳米管膜结构的方法具体包括以下步骤：

所述碳纳米管膜结构由n层碳纳米管膜交叉层叠设置而成时，其中，n≥2，沿碳纳米管的延伸方向，用镊子依次撕下所述碳纳米管膜结构表面的第1层～第n-1层碳纳米管膜；

提供至少一条状结构，将所述条状结构放置在第n层碳纳米管膜的表面，所述条状结构设置于所述二维纳米材料所在区域的一侧，且所述条状结构的延伸方向垂直于所述第n层碳纳米管膜中碳纳米管的延伸方向；

沿所述碳纳米管的延伸方向撕下所述条状结构，所述第n层碳纳米管膜随所述条状结构撕下而被去除。

10.如权利要求9所述的利用碳纳米管膜转移二维纳米材料的方法，其特征在于，所述条状结构为高分子聚合物膜或透明胶带。