[发明专利]利用碳纳米管复合膜转移二维纳米材料的方法

说明书

本发明涉及一种利用碳纳米管膜转移二维纳米材料的方法，其包括将一碳纳米管复合膜覆盖在一形成有二维纳米材料的基底的表面，去除所述基底后形成一二维纳米材料/碳纳米管复合膜复合结构及将所述二维纳米材料/碳纳米管复合膜复合结构转移至所述目标基底的表面，最后去除所述碳纳米管复合膜，从而实现二维纳米材料的转移。与现有技术相比，本发明提供的利用碳纳米管复合膜转移二维纳米材料的方法，干净、不会引入其它杂质，转移后的二维纳米材料几乎无破损、完整度高。

技术领域

本发明涉及一种二维纳米材料的转移方法，尤其涉及一种利用碳纳米管复合膜转移二维纳米材料的方法。

背景技术

二维纳米材料如石墨烯、氮化硼、二硫化钼等由于优异的性质成为化学、材料学、物理学的研究热点。规模化制备和转移仍然是二维纳米材料研究的重点。目前，从铜等基底转移二维纳米材料的最常用的方法是：采用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或热释放胶带等作为转移媒介，刻蚀铜后，将二维纳米材料和转移媒介转移到目标基底上，最后去除转移媒介。但在实际操作中，PMMA或热释放胶带不易清除干净，残留的有机粘合剂会对二维纳米材料造成很大的污染，进而影响性能表征和器件制备。

此外，还有人提出一种无胶转移法，即不使用转移媒介，直接将目标基底与生长基底上生长的二维纳米材料接触并热压印，刻蚀去除生长基底，完成二维纳米材料由生长基底至目标基底的转移。但使用这种方法，转移后的二维纳米材料褶皱和皱纹较多，二维纳米材料在转移过程中容易破损。

发明内容

有鉴于此，确有必要提供一种干净、无污染、二维纳米材料不易破损的转移方法。

一种利用碳纳米管复合膜转移二维纳米材料的方法，其具体包括以下步骤：提供一第一基底，所述第一基底表面形成有二维纳米材料；提供一碳纳米管复合膜，将所述碳纳米管复合膜覆盖于所述第一基底生长有二维纳米材料的表面，所述碳纳米管复合膜包括一碳纳米管膜结构和形成于该碳纳米管膜结构一表面的纳米材料，所述碳纳米管膜结构的另一表面与所述二维纳米材料接触；去除所述第一基底，所述二维纳米材料与所述碳纳米管复合膜形成一二维纳米材料/碳纳米管复合膜复合结构；提供一目标基底，将所述二维纳米材料/碳纳米管复合膜复合结构转移至该目标基底的表面，且所述目标基底与所述二维纳米材料接触；去除所述碳纳米管复合膜，所述二维纳米材料转移至所述目标基底的表面。

与现有技术相比，本发明提供的利用碳纳米管复合膜转移二维纳米材料的方法，干净、不会引入其它杂质，转移后的二维纳米材料几乎无破损、完整度高。

附图说明

图1为本发明第一实施例提供的利用碳纳米管复合膜转移二维纳米材料的工艺流程图。

图2为本发明第一实施例提供的碳纳米管复合膜的结构示意图。

图3为本发明第一实施例提供的碳纳米管复合膜的体视显微镜照片。

图4为转移后的石墨烯的透射电镜照片。

图5为转移后的硫化钼的光学显微镜照片。

主要元件符号说明

第一基底 101

二维纳米材料 102

碳纳米管复合膜 103

目标基底 104

碳纳米管膜结构 105

纳米材料 106

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式