[发明专利]一种基于界面诱导生长的金属纳米结构阵列的制备方法

权利要求书

1.一种基于界面诱导生长的金属纳米结构阵列的制备方法，其特征在于：该方法利用界面诱导金属成核与生长，所述方法按如下步骤进行：

（1）衬底清洗，将硅片或石英片衬底浸入浓硫酸与双氧水的混合溶液中加热至90℃，清洗60分钟，再分别在丙酮、乙醇、去离子水中超声清洗15分钟后，用氮气吹干；

（2）模板转移，将PMMA支撑的超薄多孔氧化铝模板置于清洗干净的衬底表面，再在丙酮溶液中去除PMMA层，将超薄氧化铝模板转移到衬底上；

（3）粘附力调节，将表面带有氧化铝模板的衬底静置数小时以使模板与衬底间的粘附力部分驰豫，或在150-250℃下退火以加强模板与衬底的粘附力，退火时间为2-5小时；

（4）金属沉积，将表面带有氧化铝模板的衬底转移至沉积腔内，模板朝向金属源，采用物理气相沉积方法沉积金属；

（5）模板剥离，沉积完成后，利用胶带将模板剥离，则在衬底表面留下金属纳米孔阵列或纳米环阵列，取决于模板与衬底间的粘附力，粘附力驰豫的情形将得到有序纳米孔阵列，粘附力加强的情形将得到有序纳米环阵列。

2.根据权利要求1所述的基于界面诱导生长的金属纳米结构阵列的制备方法，其特征在于：所述步骤2中氧化铝模板的厚度不大于1微米。

3.根据权利要求1所述的基于界面诱导生长的金属纳米结构阵列的制备方法，其特征在于：所述步骤4中物理气相沉积方法包括热蒸发、电子束蒸发和磁控溅射，金属源包括金、银、铝、铜，沉积速率为0.1-0.3 nm/s，沉积厚度视所需结构尺寸而定。