[发明专利]蚀刻组合物

权利要求书

1.一种蚀刻组合物，所述蚀刻组合物包含：蚀刻抑制剂，其选自分子内含有从氧、硫和氮中选择的一种以上的杂原子的单环式或多环式杂环化合物；螯合剂；及选自硫酸盐和磷酸盐的蚀刻调节剂，

其中，以所述蚀刻抑制剂1重量份为基准，所述蚀刻组合物含有20至60重量份的螯合剂及5至12重量份的蚀刻调节剂，且满足下列关系式1和关系式2：

[关系式1]

△T_a〈10°，

在上述关系式1中，△T_a表示锥角变化幅度的绝对值；

[关系式2]

△E_bias〈0.05μm，

在上述关系式2中，△E_bias表示蚀刻偏差变化幅度的绝对值。

2.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其中，所述蚀刻组合物用于蚀刻包括铜、钼、铜钼双重膜或铜钼合金双重膜的金属膜。

3.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其中，处理件数为5000ppm至7000ppm。

4.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其中，还包括氟化物。

5.根据权利要求4所述的蚀刻组合物，其中，所述氟化物是选自HF、NaF、KF、AlF₃、HBF₄、NH₄F、NH₄HF₂、NaHF₂、KHF₂及NH₄BF₄中的一种以上。

6.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其中，所述蚀刻抑制剂是选自噁唑、咪唑、吡唑、三唑、四唑、5-氨基四唑、5-甲基四唑、哌嗪、甲基哌嗪、羟基乙基哌嗪、苯并咪唑、苯并吡唑、甲苯三唑、氢甲苯三唑、羟基甲苯三唑、吲哚、嘌呤、吡啶、嘧啶、吡咯及吡咯啉中的一种以上。.

7.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，所述蚀刻调节剂是选自硫酸氢钾、硫酸氢钠、硫酸钠、过硫酸钠、硫酸钾、过硫酸钾、硫酸铵、过硫酸铵、磷酸二氢铵、磷酸氢二铵、磷酸二氢钠、磷酸氢二钠、磷酸二氢钾及磷酸氢二钾中的一种以上。

8.根据权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，所述螯合剂是选自亚氨基二乙酸、次氮基三乙酸、乙二胺四乙酸、二乙烯三腈五乙酸、氨基三亚甲基膦酸、羟基乙叉二膦酸、乙二胺四甲叉膦酸、二乙烯三胺五甲叉膦酸、丙氨酸、谷氨酸、氨基丁酸及甘氨酸中的一种以上。

9.一种利用根据权利要求1至8中任一项所述的蚀刻组合物的蚀刻方法。