[发明专利]一种开关电源的软启动装置及方法

说明书

本发明涉及服务器技术领域，提供一种开关电源的软启动装置及方法，软启动装置包括控制芯片、MOSFET A和MOSFET B；控制芯片的管脚1与MOSFET A栅极连接，管脚2与MOSFET B的栅极连接，MOSFET A和MOSFET B的漏极均与直流电源的正极端连接，MOSFET A和MOSFET B的源极均与后端电容C2连接，直流电源的正负极端上并联有滤波电容C1；控制芯片用于启动MOSFET A，并根据电压检测电路侦测的电压值开启MOSFET B，并生成Power good信号，从而在板卡启动或者热插拔过程中，既不会带来较大瞬间冲击电流，又有效保证MOSFET安全工作。

技术领域

本发明属于服务器技术领域，尤其涉及一种开关电源的软启动装置及方法。

背景技术

随着服务器的发展，板卡的功耗越来越大，板卡上开关电源输入端的滤波电容也越来越多，容值越来越大。在PSU开启或者板卡热插拔的过程中，由于电容器上的初始电压为零会形成很大的瞬时冲击电流，瞬间如此大的冲击电流，往往会导致PSU保护甚至损耗。为了减小瞬时冲击电流，尤其是对于需要热插拔的板卡，需要在板卡的前端上加入软启动开关，使输出电压缓慢上升。

软启动开关一般是由控制器和MOSFET构成。软启动开关缓慢启动的过程中MOSFET工作在饱和区，即MOSFET的源漏电极端承受较大的电压，同时MOSFET还通过一定的启动电流，此时MOSFET上的功率损耗较大，容易损耗MOSFET。因此，对于板卡上滤波电容较多、负载电流较大的情况，常见做法是并联多颗MOSFET，但是容易带来MOSFET间不均流，甚至出现某些时刻仍单颗MOSFET在导通工作。

同时，随着板卡的功耗增大，软启动开关通过的电流越来越大，想要获得较低的导通损耗，要求MOSFET具有较低的电阻Rds(On)，现有MOSFET工艺限制，获得低Rds(On)只能通过降低MOSFET漂移区的厚度，带来的影响就是降低了MOSFET的耐压值，对于参与软启动的MOSFET,耐压值的降低，将严重影响起安全性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种板卡在启动或者热插拔过程中，既不会带来较大瞬间冲击电流，又有效保证MOSFET工作安全的开关电源的软启动装置。

本发明是这样实现的，一种开关电源的软启动装置，所述开关电源的软启动装置包括控制芯片、MOSFET A和MOSFET B；

所述控制芯片设有管脚1、管脚2、管脚3和管脚4，所述管脚1与所述MOSFET A栅极连接，所述管脚2与所述MOSFET B的栅极连接，所述MOSFET A和MOSFET B的漏极作为输入端input且均与直流电源的正极端连接，所述MOSFET A和MOSFET B的源极作为输出端output且均与后端电容C2连接，所述输出端output上设有电压检测电路，所述电压检测电路与所述管脚3连接，所述直流电源的正负极端上并联有板卡上的滤波电容C1；

所述控制芯片用于在软启动开始时，启动所述MOSFET A，并根据所述电压检测电路侦测的电压值开启所述MOSFET B，并生成Power good信号，通过所述管脚4发送给后端负载芯片。

作为一种改进的方案，所述电压检测电路包括串接在一起的电阻R1和电阻R2，所述电阻R1的另一端连接在所述输出端output与所述后端电容C2之间的线路上，所述电阻R2的另一端接地；

所述电阻R1和电阻R2之间的线路上引出的线路与所述管脚3连接。

作为一种改进的方案，所述控制芯片包括：

软启动指令接收模块，用于接收板卡发送的开关电源软启动指令；