[发明专利]一种贯穿空腔结构硅片的加工方法

权利要求书

1.一种贯穿空腔结构硅片的加工方法，其特征在于：其依次按照下述要求进行操作：

①对硅片或图形片进行离子注入；

②植入假底，使用硅片与图形片键合；

③通过机械研磨或/和化学抛光方法进行磨抛，以被键合的硅片即假底为衬底，减薄图形片，研磨到露出图形的深度，暴露出原本未露出的空腔；

④键合，将完成①②两步骤的两片硅片，进行图形对图形的键合；

⑤剥离假底，通过低温退火和微波裂片操作将完成保护作用的假底剥离掉，实现贯穿结构的硅片；

对硅片或图形片进行离子注入的要求是：注入深度在距表面0.001μm-1μm范围内；氢离子注入的参数要求是：10～120Kev能量，1E15～9E16剂量，1-20mA束流；

使用硅片与图形片键合的具体要求是：硅片的粗糙度小于等于5nm；使用硅片与图形片直接接触，借助于二者表面的分子间作用力实现将两者结合为一体。

2.按照权利要求1所述贯穿空腔结构硅片的加工方法，其特征在于：硅片与图形片键合使用等离子增强的直接键合方法。

3.按照权利要求2所述贯穿空腔结构硅片的加工方法，其特征在于：剥离假底时对键合片进行退火处理的温度要求是：150～450℃。

4.按照权利要求1-3其中之一所述贯穿空腔结构硅片的加工方法，其特征在于：对硅片或图形片进行离子注入之前进行下述操作：对图形片进行化学湿法清洗，去除沾污，以降低金属和有机物污染；然后进行氧化处理，在800-1150℃下在图形片的正背面、边缘和空腔内均匀生长0.1-0.5μm厚度的氧化层；

使用微波裂片技术将两侧的假底剥离之后，对具有贯穿空腔结构的硅片使用HF进行氧化层的去净漂洗，去除分离界面，形成表面状态优良的表面。