[发明专利]液相烧结多通道碳化硅陶瓷膜支撑体及其制备方法

权利要求书

1.一种液相烧结多通道碳化硅陶瓷膜支撑体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：称取碳化硅粉Ⅰ、高岭土、滑石、造孔剂和第一结合剂，与水配置成泥料并成型，经过烧结得到所述液相烧结多通道碳化硅陶瓷膜支撑体，其中，烧结温度为1500℃以下。

2.根据权利要求1所述的液相烧结多通道碳化硅陶瓷膜支撑体的制备方法，其特征在于，具体包括如下步骤：

步骤11，按照质量比100:(5～10)：(3～5):(5～15)：(5～10)称取碳化硅粉Ⅰ、高岭土、滑石、造孔剂和第一结合剂，所述碳化硅粉Ⅰ的平均粒径范围在20～60μm之间；

步骤12，将所述第一结合剂溶于水，将碳化硅粉Ⅰ、高岭土、滑石以及所述造孔剂加入到所述第一结合剂的水溶液中，混合得到混合物料，其固含量为50％～70％；

步骤13，对所述混合物料进行混练，得到泥料；

步骤14，将所述泥料进行挤出成型，得到素坯；

步骤15，将所述素坯干燥后进行烧成，得到所述液相烧结多通道碳化硅陶瓷膜支撑体。

3.根据权利要求2所述的液相烧结多通道碳化硅陶瓷膜支撑体的制备方法，其特征在于，所述步骤13中，将所述混合物料放入真空练泥机中，在挤出压力0.08～0.12MPa，真空度0.05～0.1MPa的条件下练泥6～12小时后，在室温下陈腐12～18小时，此后重复上述操作多次，得到所述泥料。

4.根据权利要求2所述的液相烧结多通道碳化硅陶瓷膜支撑体的制备方法，其特征在于，所述步骤14中，将所述泥料放入挤出成型机，成型为多通道管状素坯或平板状素坯。

5.根据权利要求2所述的液相烧结多通道碳化硅陶瓷膜支撑体的制备方法，其特征在于，所述步骤15包括：

步骤151，将所述素坯置于室温环境中干燥4～12小时，所述室温环境为温度20～30℃，相对湿度50％～70％；

步骤152，将室温干燥后的素坯在100～150℃下保温1～3h；

步骤153，将干燥后的素坯置入烧结炉中进行烧成，在800～1000℃下保温1～3h，此后继续加热至1300～1500℃，并保温1～3h，得到所述液相烧结多通道碳化硅陶瓷膜支撑体。

6.根据权利要求1所述的液相烧结多通道碳化硅陶瓷膜支撑体的制备方法，其特征在于，所述造孔剂为炭黑、活性碳粉、或石墨粉，平均粒径为5～10μm之间。

7.根据权利要求1所述的液相烧结多通道碳化硅陶瓷膜支撑体的制备方法，其特征在于，所述第一结合剂选自羧甲基纤维素钠、羧乙基纤维素钠、甲基纤维素、聚乙烯醇、聚丙烯酸及其混合物。

8.根据权利要求7所述的液相烧结多通道碳化硅陶瓷膜支撑体的制备方法，其特征在于，所述第一结合剂为羧甲基纤维素钠，且所述第一结合剂的粘度为10000～20000Pa·S。

9.一种液相烧结多通道碳化硅陶瓷膜支撑体，其特征在于，通过权利要求1至8任一项所述的多通道碳化硅陶瓷膜支撑体的制备方法制得。

10.根据权利要求9所述的液相烧结多通道碳化硅陶瓷膜支撑体，其特征在于，孔隙率为35％～45％，抗弯强度为100MPa以上。