[发明专利]通过光阻剥离实现电极层图案化的方法

说明书

本发明提供一种通过光阻剥离实现电极层图案化的方法，先在基板上连续涂布交联性能不同的下层光阻与上层光阻形成光阻层，然后使用半色调光罩对所述光阻层进行曝光、显影，再去除第二光阻区域内的光阻层而保留第一光阻区域内的光阻层，接着沉积电极层，最后剥离第一光阻区域内的上层光阻与下层光阻，同时去除沉积在第一光阻区域内的上层光阻上的部分电极层，得到图案化的电极层，相比现有的利用单层光阻剥离来实现电极层图案化的方法，能够提高光阻剥离速率，加快实现电极层图案化的效率。

技术领域

本发明涉及显示面板制程领域，尤其涉及一种通过光阻剥离实现电极层图案化的方法。

背景技术

随着显示技术的发展，液晶显示面板(Liquid Crystal Display，LCD)与有机发光二极管显示面板(Organic Light Emitting Diode，OLED)等平板显示装置已经成为了市场上的主流产品。

LCD显示面板具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛地应用，如：液晶电视、智能手机、数字相机、平板电脑、计算机屏幕、或笔记本电脑屏幕等。OLED显示面板与LCD显示面板相比，具有更轻薄、宽视角、主动发光、发光颜色连续可调、响应速度更快、发光效率高及可柔性显示等优点。

薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor Array Substrate，TFT ArraySubstrate)是OLED显示面板及LCD显示面板的重要组成部分，在TFT阵列基板的制作过程中，需要多次采用光刻工艺来制作栅电极、源/漏电极及像素电极等结构层。完整的光刻工艺包括光阻(PR)涂布、曝光、显影、蚀刻、光阻剥离等工序。为了节省光罩，减少工序，出现了利用光阻剥离来同步消除位于待剥离光阻上的部分电极层以实现电极层图案化的方法，本领域技术人员常称之为PR Lift-off方法。

就现有的PR Lift-off方法来说，不管是对正性光阻(受到光照射的部分被显影液去除)还是负性光阻(未受到光照射的部分被显影液去除)，光阻剥离的速度较慢，光阻剥离的难度较大，从而实现电极层图案化的效率较低。如图1所述，针对负性光阻，待剥离的光阻块100呈倒梯形(该待剥离的光阻块100位于基板300与待去除的电极块500之间)，倒梯形的腰相对竖直方向的夹角，又称为底切角(Undercut)较小，剥离液向光阻块100的渗入速度较慢，从而剥离光阻的速率较慢；如图2所示，针对正性光阻，待剥离的光阻块100’(该待剥离的光阻块100’位于缓冲层200与待去除的电极块500’之间，缓冲层200位于基板300’上)呈梯形，梯形的腰相对竖直方向的夹角也较小，剥离液向光阻块100’的渗入速度较慢，从而剥离光阻的速率较慢；如图3所示，目前还有一种PR纳米绒化技术(正性光阻与负性光阻均可采用))来剥离光阻块100”(光阻块100”位于基板300”上)，但PR纳米绒化技术实施难度大，不仅剥离速率慢，还会对相关制程所在的腔室造成污染。

发明内容

本发明的目的在于提供一种通过光阻剥离实现电极层图案化的方法，能够提高光阻剥离速率，加快实现电极层图案化的效率。

为实现上述目的，本发明提供一种通过光阻剥离实现电极层图案化的方法，包括如下步骤：

步骤S1、在基板上至少连续涂布一层下层光阻与一层上层光阻，形成光阻层；

所述下层光阻与上层光阻的交联性能不同；

步骤S2、使用半色调光罩对所述光阻层进行曝光、显影，形成第一光阻区域、第二光阻区域及无光阻区域；

步骤S3、去除所述第二光阻区域内的光阻层，而保留所述第一光阻区域内的光阻层；

步骤S4、在所述基板与第一光阻区域内的上层光阻上沉积电极层；

步骤S5、利用剥离液剥离所述第一光阻区域内的上层光阻与下层光阻，同时去除沉积在所述第一光阻区域内的上层光阻上的部分电极层，得到图案化的电极层。