[发明专利]一种聚酰亚胺薄膜的制备方法在审
申请号: | 201810073351.3 | 申请日: | 2018-01-25 |
公开(公告)号: | CN108264766A | 公开(公告)日: | 2018-07-10 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 无锡创彩光学材料有限公司 |
主分类号: | C08L79/08 | 分类号: | C08L79/08;C08K7/08;C08K3/30;C08J5/18;C08G73/10 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 殷红梅;任月娜 |
地址: | 214161 江苏省无锡市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 聚酰亚胺薄膜 制备 聚酰胺酸溶液 纳米硫酸钙 晶须 耐化学品性能 二胺混合物 强极性溶剂 等摩尔量 力学性能 耐水性能 应用电子 线路板 低收缩 覆盖膜 高模量 绝缘膜 收缩率 亚胺化 遮盖性 成膜 二维 二酐 覆铜 通孔 薄膜 | ||
1.一种聚酰亚胺薄膜的制备方法,其特征在于:采用二胺混合物与等摩尔量的二酐为原料在强极性溶剂中制备聚酰胺酸溶液,然后加入原料质量0.1-5%的纳米硫酸钙晶须成膜后经亚胺化制备得到聚酰亚胺薄膜。
2.如权利要求1所述的聚酰亚胺薄膜的制备方法,其特征在于:所述纳米硫酸钙晶须的长径比为5-50,长度小于10μm,直径为0.2-2μm。
3.如权利要求1所述的聚酰亚胺薄膜的制备方法,其特征在于:所述二胺混合物中的二胺至少含有一种有机硅结构。
4.如权利要求1所述的聚酰亚胺薄膜的制备方法,其特征在于:所述纳米硫酸钙晶须超声溶解在二甲基乙酰胺溶剂中。
5.如权利要求1所述的聚酰亚胺薄膜的制备方法,其特征在于:所述聚酰亚胺薄膜的厚度为10-75μm。
6.如权利要求1所述的聚酰亚胺薄膜的制备方法,其特征在于:所述二胺为对苯二胺、间苯二胺、联苯胺、对苯二甲胺、4,4’-二氨基二苯基醚,3,4’-二氨基二苯基醚,4,4’-二氨基二苯基甲烷、4,4’-二氨基二苯基砜、3,3’-二甲基-4,4’-二氨基二苯基甲烷、1,5’-二氨基萘、3,3’-二甲氧基联苯胺、1,4’-双(3-甲基-5氨基苯基)苯以及上述几种物质的酰胺形成性衍生物。
7.如权利要求1所述的聚酰亚胺薄膜的制备方法,其特征在于:所述二酐为均苯四酸二酐、3,3’ 4,4’-联苯四甲酸二酐、2,3’,3,4’-联苯四甲酸二酐,3,3’,4,4’-二苯甲酮四甲酸二酐、2,3’,6,7’-萘四甲酸,2,2-双(3,4-二羧基苯基)醚、吡啶-2,3,5,6-四甲酸或上述几种物质的酰胺形成的衍生物。
8.如权利要求1所述的聚酰亚胺薄膜的制备方法,其特征在于:所述强极性溶剂为吡咯烷酮系溶剂、酚系溶剂、六甲基磷酰胺或r-丁内酯非质子性极性溶剂中的一种或两种。
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