[发明专利]经改良的半角喷嘴

说明书

本公开内容的实现方式提供了一种用于在热处理期间改良气体分布的设备。本公开内容的一个实现方式提供了一种用于热处理基板的设备。所述设备包括主体、成角度的气源组件、和气体注入通道。所述气体注入通道具有第一半角和第二半角。第一半角不同于第二半角。在处理腔室中使用经改良的侧面气体组件以朝向基板边缘引导气体有利地控制了在整个基板中(即，从中心至边缘)的生长均匀性。令人惊讶地，引导气体通过具有不均匀半角的气体通道将显著地增加在基板边缘处或附近的反应，从而导致基板的提高的总厚度均匀性。

技术领域

本公开内容总体涉及一种半导体处理工具，并且更特定地，涉及一种具有经改良的气流分布的反应器。

背景技术

半导体基板针对广泛应用(包括集成装置和微型装置的制造)进行处理。一种处理基板的方法包括在处于处理腔室内的基板的上表面上生长氧化层。氧化层可通过将基板暴露至氧气和氢气、同时利用辐射热源加热基板来沉积。氧自由基撞击基板的表面以在硅基板上形成层，例如，二氧化硅层。

用于快速热氧化的当前的处理腔室具有受限制的生长控制，从而导致不良的处理均匀性。常规地，可旋转基板支撑件旋转基板，同时平行于基板的水平方向引入反应气体，使得膜沉积在安置在基板支撑件上的基板上。当前的进气口设计导致气体到达基板并且在整个基板中不均匀地沉积。归因于当前的进气口设计而受限制的生长控制在基板中心处导致较高生长并在基板边缘处导致不良生长。

由此，需要提供生长控制以实现在整个基板中的更均匀的生长的经改良的气流分布。

发明内容

本公开内容的实现方式提供了一种用于在热处理期间改良气体分布的设备。本公开内容的一个实现方式提供了一种用于热处理基板的设备。所述设备包括主体、成角度的突起和气体注入通道。所述气体注入通道具有第一半角和第二半角。第一半角不同于第二半角。

本公开内容的另一实现方式提供了一种用于处理基板的设备，所述设备包括限定处理容积的腔室主体和设置在所述处理容积中的基板支撑件。所述基板支撑件具有基板支撑表面。所述设备也包括耦接至腔室主体的入口的气源突起、耦接至腔室主体的出口的排气组件以及耦接至腔室主体的侧壁的侧面气体组件。所述侧面气体组件包括气体注入通道。气体注入入口包括第一半角和第二半角。第一半角不同于第二半角。

附图说明

因此，为了能够详细理解本公开内容的上述特征所用方式，上文所简要概述的本公开内容的更具体的描述可以参考各个实现方式进行，一些实现方式在附图中示出。然而，应当注意，附图仅示出了本公开内容的常见实现方式并且由此不被认为限制本公开内容的范围，因为本公开内容可允许其他等效的实现方式。

图1A是可用于实践本公开内容的实现方式的热处理腔室的示意性横截面表示。

图1B是根据本公开内容的一个实现方式的热处理腔室的示意性横截面俯视图。

图2A是根据本公开内容的一个实现方式的气体注入器的示意性横截面俯视图。

图2B和图2C是根据本公开内容的气体注入器的三维示意图。

为了便于理解，在可能情况下，已经使用相同附图标记表示附图中共有的相同元件。预期的是，在一个实现方式中公开的元件可有利地用于其他实现方式而不进行赘述。

具体实施方式

图1A是可用于实践本公开内容的实现方式的热处理腔室100的示意性横截面表示。热处理腔室100总体包括灯组件110、限定处理容积139的腔室组件130、以及设置在处理容积139中的基板支撑件138。处理腔室100能够提供受控热循环，所述热循环加热基板101以供用于工艺(诸如，例如，热退火、热清洁、热化学气相沉积、热氧化和热氮化等等)的。