[发明专利]一种半导体器件的制作方法

说明书

本发明提供一种半导体器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有第一介质层，以及位于所述第一介质层之上的若干彼此间隔设置的第一器件结构；在所述第一器件结构的侧壁上形成间隙壁；去除所述第一介质层的表面部分；在去除了所述表面部分之后的第一介质层表面形成修复层，所述修复层的致密度大于被去除的表面部分的致密度；在所述第一介质层上形成图形化的掩膜层，并以所述图形化的掩膜层为掩膜刻蚀去除部分所述第一介质层位。该制作方法可以克服高压器件制作中湿法刻蚀先前形成的第一介质层时存在光刻胶层漂移和横向刻蚀大的问题。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种半导体器件的制作方法。

背景技术

一般高压器件在栅氧生长之前，有源区已经生长了很厚的二氧化硅(即由于高压器件中部分区域需要较厚的氧化层，因此整个区域上都生长了很厚的二氧化硅)。为了后续器件的制作，需要用湿法刻蚀掉某些区域之前生长的厚二氧化硅。然而，在湿法刻蚀中出现了光刻胶层漂移和横向刻蚀大的问题。

因此有必要提出一种半导体器件的制作方法，以解决上述问题。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提出一种半导体器件的制作方法，可以克服高压器件制作中湿法刻蚀先前形成的氧化层时存在光刻胶层漂移和横向刻蚀大的问题。

为了克服目前存在的问题，本发明一方面提供一种半导体器件的制作方法，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有第一介质层，以及位于所述第一介质层之上的若干彼此间隔设置的第一器件结构；

在所述第一器件结构的侧壁上形成间隙壁；

去除所述第一介质层的表面部分；

在去除了所述表面部分之后的第一介质层表面形成修复层，所述修复层的致密度大于被去除的表面部分的致密度；

在所述第一介质层上形成图形化的掩膜层，并以所述图形化的掩膜层为掩膜刻蚀去除部分所述第一介质层。

在本发明一个实施例中，所述第一介质层为热氧化工艺形成的氧化层；

通过热处理工艺形成所述修复层。

在本发明一个实施例中，所述氧化层为硅氧化层。

在本发明一个实施例中，所述热处理的工艺温度为800℃～1000℃。

在本发明一个实施例中，所述第一介质层通过沉积工艺形成；

通过热处理工艺或利用沉积工艺形成所述修复层。

在本发明一个实施例中，所述修复层的材料与去除的所述第一介质层表面部分的材料相同。

在本发明一个实施例中，所述修复层为氮化硅层，且利用沉积工艺形成所述修复层。

在本发明一个实施例中，所述第一介质层为单层结构或两层以上的结构。

在本发明一个实施例中，通过氢氟酸溶液或氢氟酸混合溶液湿法刻蚀去除所述第一介质层的表面部分。

在本发明一个实施例中，所述第一介质层被去除的表面部分的厚度为

在本发明一个实施例中，所述在所述第一器件结构的侧壁上形成间隙壁包括：

形成覆盖所述第一器件结构和所述第一介质层的间隙壁材料层；

通过整面干法刻蚀去除所述间隙壁材料层位于所述第一器件结构和所述第一介质层表面的部分，保留位于所述第第一器件结构侧壁的部分，从而在所述第一器件结构的侧壁上形成间隙壁。

在本发明一个实施例中，所述间隙壁材料层采用氧化物。