[发明专利]静电防护装置及显示装置在审
申请号: | 201810069837.X | 申请日: | 2018-01-24 |
公开(公告)号: | CN108172572A | 公开(公告)日: | 2018-06-15 |
发明(设计)人: | 吕政轩;刘冬;张彦超;王立冬;舒兴军;陈芪飞;刘蕊;穆景飞;王大威;王甲强;任健;樊斌;夏冰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L23/60 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 袁礼君;王卫忠 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电防护装置 比较模块 放电模块 参考端 耦接 静电防护 显示装置 第一端 控制端 输入端 耦接端 比较信号 响应控制 比较端 输出 | ||
本公开提供了一种静电防护装置及显示装置,涉及显示技术领域。该静电防护装置包括用于耦接至需要静电防护的结构的耦接端以及比较模块和放电模块;比较模块具有输入端、比较端和参考端,用于根据输入端的输入信号和比较端的比较信号从参考端输出参考信号;放电模块具有控制端、第一端和第二端,用于响应控制端接收到的参考信号来通过第二端拉低第一端的电压;其中,比较模块的输入端和放电模块的第一端分别连接至耦接端,放电模块的控制端连接比较模块的参考端。本公开可对耦接至静电防护装置的耦接端的结构进行静电防护。
技术领域
本公开涉及显示技术领域,尤其涉及一种静电防护装置及显示装置。
背景技术
随着半导体技术的发展,集成电路的制作不断引进更先进的工艺技术,各种数字产品越来越轻薄小巧。然而在各种数字产品越来越轻薄小巧的同时,其受静电放电影响也越来越严重。电子产品在生产、制造、运输过程中,操作人员、机台、检测仪器或是运输工具都可能带有静电,在一个集成电路浮接的情况下,大量的电荷从外向内灌入集成电路的瞬间,在集成电路放电时会产生数百甚至数千伏的等效高压,这会击穿集成电路中输入级的栅氧化层,对集成电路中输入级的栅氧化层造成破坏,而且由于集成电路尺寸的不断缩小,栅氧化层厚度越来越薄,其栅极的耐压能力也会随着下降。一般而言,集成电路失效的产品中有35%左右是由于静电放电(Electronic Static Discharge,ESD)的问题所引起的。
薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)显示技术是目前的主流显示技术,在显示装置中的控制器和显示器件可通过驱动芯片连接,由于控制器和显示器件的工作电压不同,且外界也非常容易与驱动芯片接触,因此驱动芯片容易受到ESD的破坏,从而影响显示装置的使用寿命。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于提供一种静电防护装置及显示装置,以避免静电造成例如显示装置损坏。
本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然,或部分地通过本公开的实践而习得。
根据本公开的一个方面,提供了一种静电防护装置,包括用于耦接至需要静电防护的结构的耦接端以及比较模块和放电模块;所述比较模块具有输入端、比较端和参考端,用于根据所述输入端的输入信号和所述比较端的比较信号从所述参考端输出参考信号;所述放电模块具有控制端、第一端和第二端,用于响应所述控制端接收到的所述参考信号来通过所述第二端拉低所述第一端的电压;其中,所述比较模块的输入端和所述放电模块的第一端分别连接至所述耦接端,所述放电模块的控制端连接所述比较模块的参考端。
根据本公开的示例性实施例,所述比较模块可以包括运算放大器,所述运算放大器的同相输入端、反相输入端和输出端分别用作所述输入端、所述比较端和所述参考端。
根据本公开的示例性实施例,所述运算放大器的供电端可以分别连接至电源信号端和接地端;在所述输入信号与所述比较信号满足预设条件时,所输出的参考信号为所述电源信号端提供的电源信号;在所述输入信号与所述比较信号不满足所述预设条件时,所输出的参考信号为所述接地端提供的接地信号。
根据本公开的示例性实施例,在所述输入信号大于所述比较信号时,所输出的参考信号为所述电源信号端提供的电源信号;在所述输入信号小于或等于所述比较信号时,所输出的参考信号为所述接地端提供的接地信号。
根据本公开的示例性实施例,所述放电模块可以包括开关晶体管,所述开关晶体管的导通信号为所述电源信号端提供的所述电源信号。
根据本公开的示例性实施例,所述开关晶体管可以为N型晶体管或P型晶体管。
根据本公开的示例性实施例,所述放电模块的第二端可以接地。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的