[发明专利]一种光刻胶回刻蚀工艺中改善晶圆表面颗粒缺陷的方法

说明书

本发明公开了一种光刻胶回刻蚀工艺中改善晶圆表面颗粒缺陷的方法，光刻胶回刻蚀工艺的腔体清洗的复机流程包括如下步骤：S1进行腔体清洗；S2对腔体漏率进行检查；S3对腔体进行气体清洗；S4对腔体进行暖机；S5对腔体颗粒和速率进行测试。本发明通过优化腔体清洗后的恢复流程来改善晶圆表面颗粒缺陷的问题，通过在无射频输入及腔体高压力和低压力设置下，使用气体对腔体进行清理，有效地解决了腔体维护后产品边缘容易形成簇状颗粒缺陷的问题，提高了产品品质。从而有效地清除掉静电吸附盘上的残留颗粒，解决了腔体清洗后表面易形成颗粒缺陷的问题。

技术领域

本发明涉及一种半导体制备工艺，尤其涉及一种光刻胶回刻蚀工艺中改善晶圆表面颗粒缺陷的方法。

背景技术

在光刻胶回刻蚀工艺中，目前腔体清洗后的复机流程为：腔体清洗-腔体漏率检查-控片暖机-腔体颗粒与速率测试(如图1)，目前的空片暖机并不能完全的清除静电吸附盘表面在腔体清洗后所残留的颗粒，残留的颗粒容易在产品的边缘形成颗粒缺陷(如图4)，降低产品品质。在光刻胶回刻蚀工艺中，往往在腔体维护(PM)后的前射频(RF)时数50hrs的情况下产品容易产生晶圆边缘的篱笆异常形貌,跟PM后的复机流程不够优化有关；

目前腔体清洗后的复机流程为：腔体清洗--腔体漏率检查--控片暖机--腔体颗粒与速率测试(如图1)，通过安排PM复机流程实验；通过实验分析原因锁定：腔体PM后的清除能力减弱，搭配当前的控片暖机并不能完全的清除静电吸附盘表面在腔体清洗后所残留的颗粒，残留的颗粒容易在产品的边缘形成颗粒缺陷(如图4)，降低产品品质。

发明内容

本发明为解决现有技术中的上述问题提出的一种能清除在产品边缘形成的颗粒缺陷，提高产品品质的光刻胶回刻蚀工艺中改善晶圆表面颗粒缺陷的方法。

为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：

一种光刻胶回刻蚀工艺中改善晶圆表面颗粒缺陷的方法，光刻胶回刻蚀工艺的腔体清洗的复机流程包括如下步骤：

S1进行腔体清洗；

S2对腔体漏率进行检查；

S3对腔体进行气体清洗；

S4对腔体进行暖机；

S5对腔体颗粒和速率进行测试。

为了进一步优化上述技术方案，本发明所采取的技术措施为：

更优选的，所述步骤S3设置为无射频输入。

更优选的，所述步骤S3包括

S31对腔体进行高压清洗；

S32对腔体进行低压清洗；

S33重复步骤S31和S32的清洗方法清洗腔体。

更优选的，所述步骤S31中的高压清洗中通入惰性气体进行清洗。

更优选的，所述惰性气体为氮气和氩气。

更优选的，所述氮气的通量保持在600-1000sccm。

更优选的，所述氩气的通量保持在1600-2000sccm。

更优选的，所述步骤S31中的腔体气压为800-1000mtorr。

更优选的，所述步骤S32中的腔体气压为0-100mtorr。

更优选的，所述步骤S33的重复清洗周期为10-20次。

本发明采用上述技术方案，与现有技术相比，具有如下技术效果：