[发明专利]一种单片硅晶圆气相HMDS涂布装置有效
| 申请号: | 201810068566.6 | 申请日: | 2018-01-24 |
| 公开(公告)号: | CN108080220B | 公开(公告)日: | 2021-07-06 |
| 发明(设计)人: | 傅立超;施科科 | 申请(专利权)人: | 宁波润华全芯微电子设备有限公司 |
| 主分类号: | B05C9/14 | 分类号: | B05C9/14;B05D3/04 |
| 代理公司: | 北京君恒知识产权代理有限公司 11466 | 代理人: | 张强;郑黎明 |
| 地址: | 315400 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 单片 硅晶圆气相 hmds 装置 | ||
1.一种单片硅晶圆气相HMDS涂布装置,其特征为,包括盘体组件和上盖组件,所述的盘体组件和上盖组件相互开合,所述的盘体组件与所述的上盖组件闭合时两者之间形成涂布腔且两者密封,所述的上盖组件与所述的盘体组件之间采用气体密封结构,所述气体密封结构内气体压力大于所述涂布腔内压力,所述的上盖组件内设置有与所述涂布腔连通的HMDS进气道和HMDS出气道,所述的上盖组件包括上盘盖,所述的盘体组件包括底托护罩,所述的底托护罩和所述的上盘盖之间设置有内层密封件和外层密封件,所述的内层密封件和所述的外层密封件之间具有缝隙,所述的底托护罩上设置有与缝隙相连的密封气体进气口,所述的内层密封件密封压力大于外层密封件的密封压力,所述的底托护罩内设置有环形密封气道,所述的环形密封气道连接所述的缝隙,所述的密封气体进气口连通所述环形密封气道底部,所述内层密封件和外层密封件采用O型圈压住密封。
2.根据权利要求1所述的一种单片硅晶圆气相HMDS涂布装置,其特征为,所述的上盖组件包括进气盖、进气上盖和进气内盖,所述的进气盖设置在所述的进气上盖上,所述的HMDS进气道和所述的HMDS出气道设置在所述的进气盖内,所述的进气内盖设置在所述的进气盖下方且所述的进气内盖上设置有与所述HMDS出气道连通的出气口,所述的进气上盖与所述的进气内盖之间设置有出气通道,所述的出气通道连通所述的HMDS出气道。
3.根据权利要求2所述的一种单片硅晶圆气相HMDS涂布装置,其特征为,所述的进气上盖与所述的上盘盖之间通过上盖压环固定,所述的上盖压环还连接有运动装置。
4.根据权利要求3所述的一种单片硅晶圆气相HMDS涂布装置,其特征为,所述的盘体组件包括上盘面和下盘面,所述的上盘面设置在所述下盘面上方,所述的上盘面用于固定晶圆,所述的下盘面内设置有用于加热晶圆的加热装置。
5.根据权利要求4所述的一种单片硅晶圆气相HMDS涂布装置,其特征为,所述的上盘面设置在所述进气内盖正下方。
6.根据权利要求3或4所述的一种单片硅晶圆气相HMDS涂布装置,其特征为,所述的进气上盖与所述的上盖压环密封连接,所述的进气内盖靠近所述上盖压环的边缘均匀设置有若干个排气口。
7.根据权利要求1所述的一种单片硅晶圆气相HMDS涂布装置,其特征为,进行气体密封的气体为氮气。
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B05C 一般对表面涂布液体或其他流体的装置
B05C9-00 把液体或其他流体涂于表面的装置或设备,所采用的方法未包含在B05C 1/00至B05C 7/00组,或表面涂布液体或其他流体的方法不是重要的
B05C9-02 .对表面涂布液体或其他流体采用B05C 1/00至B05C 7/00中未包含的一个方法,不论是否还使用其他的方法
B05C9-04 .对工件的相对面涂布液体或其他流体
B05C9-06 .对工件的同一个面要求涂布两种不同的液体或其他流体,或者用同一种液体或其他流体涂布二次
B05C9-08 .涂布液体或其他流体并完成辅助操作
B05C9-10 ..在涂布之前完成辅助操作





