[发明专利]太赫兹波段四重光子晶体带阻滤波器

权利要求书

1.一种太赫兹波段四重光子晶体带阻滤波器，其特征在于，包括：薄膜基质和设置在薄膜基质正面的四重光子晶体阵列结构；所述四重光子晶体阵列结构包括多个呈正方形阵列排布的四重光子晶体单元；所述四重光子晶体单元包括从外而内依次嵌套设置的金属导电墨水空心正方形环、乙炔黑导电墨水空心正方形环、单晶硅薄片空心正方形环和最内的正方形陶瓷薄片；

所述四重光子晶体阵列结构是由5行5列共25个四重光子晶体单元按照5×5阵列周期性的分布在薄膜基质表面组成的；

所述四重光子晶体阵列结构划分为5行5列25个小正方形区域，每个小正方形区域的大小都为(40 μm±1 μm)×(40 μm±1 μm)，每个小正方形区域的对称中心设置一个四重光子晶体单元；

所述四重光子晶体单元的大小为(40 μm±1 μm)×(40 μm±1 μm)；所述金属导电墨水空心正方形环的外边长为40 μm、内边长为20 μm、所述乙炔黑导电墨水空心正方形环的外边长为20 μm、内边长为10 μm、所述单晶硅薄片空心正方形环的外边长为10 μm、内边长为5μm和所述正方形陶瓷薄片的边长为5 μm；

在所述四重光子晶体阵列结构的左下角设有信号输入点，右上角设有信号输出点；

幅频特性衰减大于40 dB时，带阻滤波器的阻带频率范围为0.887～1.142 THz，阻带频率宽度为0.255 THz，通带最大衰减为0.544 dB，阻带最大衰减为62.45 dB。

2.根据权利要求1所述的太赫兹波段四重光子晶体带阻滤波器，其特征在于：所述薄膜基质为聚对苯二甲酸乙二酯PET薄膜基质。

3.根据权利要求1所述的太赫兹波段四重光子晶体带阻滤波器，其特征在于：所述薄膜基质由至少9层层叠结构的薄膜组成，每层薄膜的厚度都为4 μm±1 μm，最上一层薄膜的相对介电常数为3.0±0.1；所述每层薄膜的相对介电常数从上到下逐渐增加，相邻两层薄膜之间的相对介电常数的差值为0.2。

4.根据权利要求1所述的太赫兹波段四重光子晶体带阻滤波器，其特征在于：所述薄膜基质的形状为矩形，尺寸是(200 μm±5 μm)×(200 μm±5 μm)。

5.根据权利要求1所述的太赫兹波段四重光子晶体带阻滤波器，其特征在于：所述单晶硅薄片的相对介电常数为11±1。

6.根据权利要求1所述的太赫兹波段四重光子晶体带阻滤波器，其特征在于：所述陶瓷薄片的相对介电常数为8±1。