[发明专利]一种背接触太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种背接触太阳能电池，其特征在于：包括P型晶体硅基体，所述P型晶体硅基体的背表面从内到外依次包括隧穿氧化层、交替排列的背表面n+掺杂多晶硅区域和背表面激光开槽区域、背表面钝化膜和背表面金属电极；所述背表面金属电极包括与背表面n+掺杂多晶硅区域欧姆接触的第一背面电极和与背表面激光开槽区域欧姆接触的第二背面电极；所述P型晶体硅基体的前表面从内到外依次为p+掺杂区域和前表面钝化减反膜。

2.根据权利要求1所述的一种背接触太阳能电池，其特征在于：所述P型晶体硅基体的前表面是由硼掺杂区域和前表面钝化减反膜形成的前表面场；或，所述P型晶体硅基体的前表面是由氧化层、p+掺杂多晶硅层和前表面钝化减反膜形成的钝化接触前表面场。

3.根据权利要求1或2所述的一种背接触太阳能电池，其特征在于：所述前表面钝化减反膜为SiNx，其厚度为40～80nm；所述氧化层为SiO2和/或Al2O3；或者，所述背表面钝化膜包括Al2O3介质膜和SiNx介质膜，所述Al2O3介质膜的厚度为2～10nm，所述SiNx介质膜的厚度为40～80nm。

4.根据权利要求1-3任一项所述的一种背接触太阳能电池，其特征在于：所述第一背面电极是银电极，所述第二背面电极是铝电极。

5.一种背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)、选择P型晶体硅基体，并对P型晶体硅基体作制绒处理；

(2)、将步骤(1)处理后的P型晶体硅基体的背表面和前表面进行掺杂处理；其中，P型晶体硅基体背表面掺杂处理方式为：在P型晶体硅基体的背表面生长隧穿氧化层，并在隧穿氧化层上生长本征多晶硅层或者本征非晶硅层，然后在本征多晶硅层或本征非晶硅层上注入磷离子；P型晶体硅基体前表面掺杂处理方式为：采用硼扩散或采用离子注入的方式注入硼离子。

(3)、将步骤(2)处理后的P型晶体硅基体进行高温退火处理，退火的峰值温度为800～1100℃，退火时间为30～200min，退火完成后，在P型晶体硅基体前表面形成掺杂的p+区域，在P型晶体硅基体背表面形成n+掺杂的发射极。

(4)、在步骤(3)处理后的P型晶体硅基体的前表面形成前表面钝化减反膜，在P型晶体硅基体的背表面形成背表面钝化膜；

(5)、在步骤(4)处理后的P型晶体硅基体的背表面进行激光开槽，并在激光开槽区域印刷铝电极以与p+区域形成欧姆接触，在背表面n+掺杂区域印刷银电极以与n+掺杂区域形成欧姆接触，完成背接触太阳能电池的制作。

6.根据权利要求5所述的一种背接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：在步骤(1)中，对P型晶体硅基体的前表面和背表面作制绒处理；P型晶体硅基体的电阻率为0.5～15Ω·cm，厚度为50～300μm。