[发明专利]光耦合器

权利要求书

1.一种光耦合器，包括：

一光波导，包括：

一本体部；

一第一下层指状结构，与该本体部连接，该第一下层指状结构具有一第一长度；

一第二下层指状结构，与该本体部连接，该第二下层指状结构具有一第二长度；

一第一上层指状结构，在该第一下层指状结构上方，并与该本体部连接，该第一上层指状结构具有一第三长度，且该第三长度短于该第一长度；以及

一第二上层指状结构，在该第二下层指状结构上方，并与该本体部连接，该第二上层指状结构具有一第四长度，且该第四长度短于该第二长度。

2.如权利要求1所述的光耦合器，其中：

该第一下层指状结构包括一第一下层后端部；

该第二下层指状结构包括一第二下层后端部；

该第一上层指状结构包括一第一上层后端部；以及

该第二上层指状结构包括一第二上层后端部，其中该第一下层后端部、该第二下层后端部、该第一上层后端部与该第二上层后端部互相对齐。

3.如权利要求1所述的光耦合器，其中，该本体部包括：

一第一本体部；以及

一第二本体部，自该第一本体部延伸，其中该第一下层指状结构自该第二本体部延伸，以及该第二下层指状结构，自该第二本体部延伸，其中该第一上层指状结构自该第一本体部延伸，并位于该第一下层指状结构及该第二本体部上方，其中该第二上层指状结构自该第一本体部延伸，并位于该第二下层指状结构及该第二本体部上方，其中该第一上层指状结构与该第二上层指状结构一同暴露该第二本体部的一第一部分。

4.如权利要求3所述的光耦合器，进一步包括：

一第三下层指状结构，自该第二本体部延伸；以及

一第三上层指状结构，自该第一本体部延伸，并位于该第三下层指状结构及该第二本体部上方，其中该第二上层指状结构与该第三上层指状结构一同暴露该第二本体部的一第二部分，其中该第一部分具有一第一终端部，以及该第二部分具有一第二终端部，该第一终端部对齐该第二终端部。

5.如权利要求1所述的光耦合器，其中，该第一下层指状结构、该第二下层指状结构、该第一上层指状结构以及该第二上层指状结构的材质为硅(Si)、氮化硅(SiN)、氮氧化硅(SiON)、或碳化硅(SiC)。

6.如权利要求1所述的光耦合器，其中，该第一下层指状结构具有一第一宽度，以及该第一上层指状结构具有一第二宽度，其中该第一宽度宽于该第二宽度。

7.如权利要求1所述的光耦合器，其中，所述下层指状结构各自包括一光栅。

8.如权利要求1所述的光耦合器，其中，所述上层指状结构各自包括一光栅。

9.如权利要求1所述的光耦合器，其中，该第一下层指状结构、该第二下层指状结构与该本体部于一前后方向上界定出一凹槽，该凹槽的一开口朝向前方。

10.如权利要求9所述的光耦合器，其中，该凹槽为一U形结构。

11.如权利要求1所述的光耦合器，其中，该第一下层指状结构、该第一上层指状结构为同一半导体层，并经过特定的蚀刻工艺，将该半导体层蚀刻为具有该第一下层指状结构以及具有该第一上层指状结构。

12.如权利要求1所述的光耦合器，其中，该第一下层指状结构、该第一上层指状结构为不同半导体层。

13.如权利要求12所述的光耦合器，其中，该第一下层指状结构、该第一上层指状结构是由不同材料构成。

14.如权利要求12所述的光耦合器，其中，该第一下层指状结构、该第一上层指状结构是由相同材料构成。