[发明专利]一种提高InAs单量子点荧光提取效率的方法在审
| 申请号： | 201810066277.2 | 申请日： | 2018-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN108192594A | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 梁志辉;孙宝权;张志伟;王伟华 | 申请（专利权）人： | 内蒙古民族大学 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/74 |
| 代理公司： | 西安研创天下知识产权代理事务所(普通合伙) 61239 | 代理人： | 杨凤娟 |
| 地址： | 028000 内蒙古自治*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单量子点 量子点 金纳米颗粒 提取效率 牺牲层 荧光 金膜 范德瓦尔斯力 化学反应 分子束外延 氢氟酸溶液 三明治结构 蜡状物质 砷化铝层 覆盖层 金属钛 氢氟酸 上表面 砷化铟 砷化镓 生长 薄层 衬底 吸附 附着 发光 腐蚀 | ||
1.一种提高InAs单量子点荧光提取效率的方法，其特征在于，所述方法具体包括：
步骤A 通过在GaAs衬底上依次生长GaAs缓冲层、AlAs牺牲层、GaAs层、InAs单量量子层点和GaAs盖层，获得InAs/GaAs量子点样品；
步骤B 在制备获得的InAs/GaAs量子点样品的表面上覆盖黑色蜡状物质Apiezon W；
步骤C 将涂有Apiezon W保护层的InAs/GaAs量子点样品放在氢氟酸溶液中，获得的GaAs-InAs量子点-GaAs三明治结构薄层；
步骤D 在一定的衬底上生长金膜，然后放置在氢氟酸溶液中腐蚀，形成表面粗糙度为-10nm量级的金纳米颗粒薄膜；
步骤E 将步骤C中获得的GaAs-InAs量子点-GaAs三明治结构薄层吸附在步骤D中获得的金纳米颗粒薄膜上，形成附着在金纳米颗粒薄膜上的InAs/GaAs量子点样品。
2.如权利要求1所述的提高InAs单量子点荧光提取效率的方法，其特征在于，所述方法步骤A中，InAs/GaAs量子点样品中的AlAs牺牲层厚度控制在-100nm量级。
3.如权利要求1所述的提高InAs单量子点荧光提取效率的方法，其特征在于，所述方法步骤A中，InAs/GaAs量子点样品中，介于AlAs牺牲层和InAs量子点层之间的GaAs层的厚度控制在-10nm量级。
4.如权利要求1所述的提高InAs单量子点荧光提取效率的方法，其特征在于，所述方法步骤C中，氢氟酸的浓度应小于10%。
5.如权利要求1所述的提高InAs单量子点荧光提取效率的方法，其特征在于，所述方法步骤C中，在溶液中放置金属钛。
6.如权利要求1所述的提高InAs单量子点荧光提取效率的方法，其特征在于，所述方法步骤D中，生长获得的金膜厚度大于100nm。
7.如权利要求1所述的提高InAs单量子点荧光提取效率的方法，其特征在于，所述方法步骤D中，氢氟酸的浓度小于10%。
8. 如权利要求1所述的提高InAs单量子点荧光提取效率的方法，其特征在于，所述方法步骤E中，在将GaAs-InAs量子点-GaAs三明治结构薄层与金纳米颗粒薄膜相结合时，将GaAs-InAs量子点-GaAs三明治结构薄层上没有涂抹Apiezon W保护层的一侧与金纳米颗粒薄膜的表面贴合到一起。
9.如权利要求1所述的提高InAs单量子点荧光提取效率的方法，其特征在于，所述步骤E之后还包括：
步骤F，利用四氯化碳、丙酮都溶剂将GaAs-InAs量子点-GaAs三明治结构薄层上Apiezon W保护层清洗掉。
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