[发明专利]像素单元及其制造方法以及成像装置

权利要求书

1.一种像素单元，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括：

用于光电器件的第一部分，所述第一部分包括第一掺杂区；和

用于与所述光电器件耦合的晶体管的第二部分，所述第二部分包括：

与所述第一掺杂区相邻的沟道形成区，其中所述沟道形成区的导电类型与所述第一掺杂区的导电类型相反，以及

与所述沟道形成区相邻的第二掺杂区；

在所述衬底之上的第一绝缘层，其中所述第一绝缘层覆盖所述第一部分并且至少覆盖所述第二部分的沟道形成区；

在所述第一绝缘层之上的调节绝缘层，其中所述调节绝缘层至少覆盖所述第一绝缘层在所述第一部分之上以及在所述第二部分的沟道形成区之上的部分；以及

在所述沟道形成区上方的栅极结构。

2.根据权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述调节绝缘层包括高k电介质材料。

3.根据权利要求1或2所述的像素单元，其特征在于，所述第一部分还包括：

在所述第一掺杂区之下的第三掺杂区，

其中所述第一掺杂区的导电类型与所述第三掺杂区的导电类型相同。

4.根据权利要求1或2所述的像素单元，其特征在于，所述栅极结构包括：

在所述第一绝缘层和所述调节绝缘层在所述沟道形成区上方的部分之上的栅极；以及

覆盖所述栅极的侧壁的至少一部分的隔离物，

其中所述栅极的材料包括掺杂的多晶硅。

5.一种成像装置，其特征在于，其包括根据权利要求1-4中任一项所述的像素单元。

6.一种制造像素单元的方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括用于形成光电器件的第一部分和用于形成与所述光电器件耦合的晶体管的沟道的沟道形成区；

在所述衬底上形成第一绝缘层，其中所述第一绝缘层至少覆盖所述第一部分和所述沟道形成区；

在所述第一绝缘层上形成调节绝缘层，其中所述调节绝缘层至少覆盖所述第一绝缘层在所述第一部分之上以及在所述沟道形成区之上的部分；以及

在所述调节绝缘层上形成栅极结构，其中所述栅极结构位于所述沟道形成区上方。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述调节绝缘层包括高k电介质材料。

8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述第一部分中形成与所述沟道形成区相邻的第一掺杂区，其中所述第一掺杂区的导电类型与所述沟道形成区的导电类型相反；以及

形成与所述沟道形成区相邻并且与所述第一掺杂区相对的第二掺杂区，其中所述第二掺杂区的导电类型与所述沟道形成区的导电类型相反。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述第一部分中形成第三掺杂区，

其中所述第三掺杂区在所述第一掺杂区之下，并且

其中所述第三掺杂区的导电类型与第一掺杂区的导电类型相同。

10.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，在所述调节绝缘层上形成栅极结构包括：

在所述第一绝缘层和所述调节绝缘层在所述沟道形成区上方的部分之上形成栅极；以及

形成覆盖所述栅极的侧壁的至少一部分的隔离物，

其中所述栅极的材料包括掺杂的多晶硅。