[发明专利]一种CMP后晶圆表面缺陷的检测方法

说明书

一种CMP后晶圆表面缺陷的检测方法，所述方法包括：在预设工艺条件下对第一样本晶圆和第二样本晶圆表面的透光膜层进行CMP处理；使用光学检验法检测所述第一样本晶圆的表面缺陷数量；在所述第二样本晶圆表面涂覆不透光涂层，并使用光学检验法检测所述第二样本晶圆的表面缺陷数量；确定所述第二样本晶圆与所述第一样本晶圆的表面缺陷数量之间的关联关系；在所述预设工艺条件下对待检测晶圆表面的透光膜层进行CMP处理；使用光学检验法检测所述待检测晶圆的表面缺陷数量，并根据所述关联关系进行修正，以确定所述待检测晶圆的实际表面缺陷数量。通过本发明的方案能够有效改善光学检验机台对CMP后的晶圆的表面缺陷的检出能力。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种CMP后晶圆表面缺陷的检测方法。

背景技术

随着微电子工艺的发展，化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing，简称CMP，亦即平坦化工艺)逐渐成为半导体制造过程中的一个重要工艺流程。

但是，在短沟道隔离(Shallow Trench Isolation，简称STI，也可称为浅沟槽隔离)的形成工艺中，由于在表面沉积的介质材料(一般为SiO₂等氧化物)的透光性，光学检验机台无法有效检验出经过CMP后晶圆表面的刮伤，导致现有对CMP后晶圆表面缺陷的检测结果不准，影响最终制得的器件性能。

发明内容

本发明解决的技术问题是如何改善光学检验机台对CMP后的晶圆的表面缺陷的检出能力。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种CMP后晶圆表面缺陷的检测方法，包括：在预设工艺条件下对第一样本晶圆和第二样本晶圆表面的透光膜层进行CMP处理；使用光学检验法检测所述第一样本晶圆的表面缺陷数量；在所述第二样本晶圆表面涂覆不透光涂层，并使用光学检验法检测所述第二样本晶圆的表面缺陷数量；确定所述第二样本晶圆与所述第一样本晶圆的表面缺陷数量之间的关联关系；在所述预设工艺条件下对待检测晶圆表面的透光膜层进行CMP处理；使用光学检验法检测所述待检测晶圆的表面缺陷数量，并根据所述关联关系进行修正，以确定所述待检测晶圆的实际表面缺陷数量。

可选的，所述第一样本晶圆、第二样本晶圆、待检测晶圆具有相同的内部结构。

可选的，所述第一样本晶圆、第二样本晶圆、待检测晶圆是经由同一道工序制备获得的。

可选的，所述透光膜层的材料为氧化物。

可选的，所述不透光涂层的材料为氮化钛和/或氮化钽。

可选的，所述表面缺陷为刮伤缺陷。

可选的，所述第一样本晶圆、第二样本晶圆、待检测晶圆内形成有图像传感器。

可选的，使用亮场光学检验机台完成光学检验法检测。

可选的，所述待检测晶圆为量产晶圆。

可选的，所述第二样本晶圆与所述第一样本晶圆的表面缺陷数量之间的关联关系为：所述第一样本晶圆的表面缺陷数量与所述第二样本晶圆的表面缺陷数量之比。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：