[发明专利]基于聚苯乙烯界面层提高光伏性能的钙钛矿电池及其制备

权利要求书

1.一种基于聚苯乙烯界面层提高光伏性能的钙钛矿电池，所述钙钛矿电池自下而上包括衬底材料、透明电极、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和对电极，其特征在于，所述钙钛矿电池还包括聚苯乙烯界面层，所述聚苯乙烯界面层设置在所述钙钛矿吸光层和空穴传输层之间。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿电池，其特征在于，所述聚苯乙烯界面层的厚度为0.5-10nm。

3.根据权利要求1所述的钙钛矿电池，其特征在于，所述电子传输层为平面结构或者为多孔骨架结构。

4.根据权利要求1所述的钙钛矿电池，其特征在于，所述透明电极为铟锡氧化物、氟锡氧化物或铝锌氧化物。

5.根据权利要求1所述的钙钛矿电池，其特征在于，所述电子传输层为TiO₂、ZnO、SnO₂、PCBM或C₆₀。

6.根据权利要求1所述的钙钛矿电池，其特征在于，所述钙钛矿吸光层材料为ABX₃型，其中A为Rb⁺、Cs⁺、CH₃NH₃⁺、HC(NH₂)₂⁺，B为Pb²⁺、Sn²⁺、Cu²⁺，X为Cl^-、Br^-、I^-、SCN^-，厚度为80-1000nm。

7.根据权利要求1所述的钙钛矿电池，其特征在于，所述的空穴传输层为Spiro-OMeTAD、P3HT、PTAA、 CuI、CuSCN、NiOx和MoOx中的一种或多种。

8.一种制备如权利要求1~7任一所述钙钛矿太阳能电池的方法，其特征在于，该方法具体包括以下步骤：

（1）在透明电极上沉积平面或者多孔结构电子传输层；

（2）在电子传输层表面通过原位溶液法制备钙钛矿吸光层；通过钙钛矿前驱体浓度调节钙钛矿层厚度，使其与电子传输层形成异质结；

（3）在钙钛矿吸光层表面沉积聚苯乙烯界面层，通过前驱体浓度调整界面层厚度；

（4）然后沉积空穴传输层和对电极，即得到钙钛矿电池。