[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，所述CMOS图像传感器的制造方法包括：

提供一像素晶圆，所述像素晶圆中形成有包括多个像素单元的像素阵列；

形成一金属种子层于所述像素晶圆上；

形成一图案化的掩膜层于所述金属种子层上，所述图案化的掩膜层包括多个掩膜单元，所述掩膜单元与所述像素单元对应，相邻两个所述掩膜单元之间的间隙露出部分的所述金属种子层；

在露出的所述金属种子层上电镀金属材料，以形成金属网格；

去除所述图案化的掩膜层，以露出部分的所述金属种子层；

去除露出的所述金属种子层，以露出部分的所述像素晶圆；及

形成包括多个滤光片单元的滤光片阵列于露出的所述像素晶圆上，所述滤光片单元与所述像素单元对应，所述滤光片单元的顶面不高于所述金属网格的顶面。

2.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，在去除露出的所述金属种子层之后，形成所述滤光片阵列之前，所述CMOS图像传感器的制造方法还包括：

形成一保护层，所述保护层覆盖所述金属网格及露出的所述像素晶圆。

3.如权利要求2所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，所述保护层的材料选自于氧化硅和氮化硅中的其中之一。

4.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，在形成所述滤光片阵列之后，所述CMOS图像传感器的制造方法还包括：

形成一平坦化层，所述平坦化层覆盖所述金属网格及所述滤光片阵列；及

形成包括多个微透镜单元的微透镜阵列于所述平坦化层上，所述微透镜单元与所述滤光片单元对应。

5.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，在形成所述金属种子层于所述像素晶圆上之前，所述CMOS图像传感器的制造方法还包括：

形成一缓冲层于所述像素晶圆上；

其中，所述金属种子层形成于所述缓冲层上。

6.如权利要求1～5中任一项所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，所述图案化的掩膜层的材料选自于光刻胶。

7.如权利要求1～5中任一项所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，所述金属种子层和电镀的金属材料的材料均选自于铜、金、铝和银中的其中之一。

8.如权利要求1～5中任一项所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，所述像素晶圆中还形成有多个传输门，所述传输门与所述像素单元电性连接。

9.如权利要求1～5中任一项所述的CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，所述像素晶圆键合于一承载晶圆或者逻辑晶圆上，所述承载晶圆或者逻辑晶圆与所述金属种子层分别位于所述像素晶圆相对的两个表面。

10.一种如权利要求1～9中任一项所述的CMOS图像传感器的制造方法制造的CMOS图像传感器，其特征在于，所述CMOS图像传感器包括：

一像素晶圆，所述像素晶圆中形成有包括多个像素单元的像素阵列；

一金属网格，形成于所述像素晶圆上；

包括多个滤光片单元的滤光片阵列，形成于所述像素晶圆上，且所述滤光片单元位于所述金属网格的单元格中，所述滤光片单元与所述像素单元对应，所述滤光片单元的顶面不高于所述金属网格的顶面。