[发明专利]基于III/V族半导体的电路及运行该电路的方法

权利要求书

1.一种电路，包括耦合到第二区域的第一区域，所述第一区域基于III/V族半导体；

其中，所述第一区域包括第一部件和第二部件，所述第二部件表示所述第一部件的电特性；并且

其中，所述第二区域包括适于感测所述第二部件的电气参量的传感器；以及耦合到所述传感器的输入发生器，所述输入发生器适于向所述第一区域提供至少一个输入，其中，所述至少一个输入基于所述电气参量。

2.根据权利要求1所述的电路，其中，所述第二区域基于硅。

3.根据权利要求1或2所述的电路，其中，所述第二部件是与所述第一部件类型相同的部件。

4.根据前述权利要求中任一项所述的电路，其中，所述第二部件是尺寸比所述第一部件小的部件。

5.根据前述权利要求中任一项所述的电路，其中，所述输入发生器包括电压源和信号发生器中的至少一项。

6.根据前述权利要求中任一项所述的电路，其中，所述第一部件包括二极管，并且其中，所述至少一个输入包括电压输入。

7.根据前述权利要求中任一项所述的电路，其中，所述第一部件包括电源开关，所述电路包括并联耦合到所述电源开关的晶体管和用于驱动所述晶体管的驱动器，其中，所述至少一个输入包括用于控制所述驱动器的控制信号。

8.根据前述权利要求中任一项所述的电路，其中，所述电气参量包括电压和电阻中的至少一项。

9.根据前述权利要求中任一项所述的电路，其中，所述电路由来自半导体晶圆的至少一个管芯制成，并且其中所述第一部件和第二部件由相同的管芯制成。

10.根据前述权利要求中任一项所述的电路，其中，所述传感器包括耦合到模数转换器的电流源。

11.根据前述权利要求中任一项所述的电路，其中所述III/V族半导体包括氮化镓。

12.根据前述权利要求中的任一项所述的电路，其中，所述第一区域包括多个第一部件和多个第二部件。

13.一种运行电路的方法，所述电路包括具有第一部件的III/V族半导体区域，所述方法包括以下步骤：

提供表示所述第一部件的电特性的第二部件；

感测所述第二部件的电气参量；以及

基于所述电气参量生成至少一个输入；以及

向所述III/V族半导体区域提供所述至少一个输入。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，生成输入包括以下步骤：

产生电压和控制信号中的至少一项。

15.根据权利要求13或14所述的方法，所述方法还包括以下步骤：

感测在所述第二部件两端之间的第一电压，并且基于所述第一电压产生用于所述第一部件的第二电压。

16.根据权利要求13至15中的任一项所述的方法，其中，所述第一部件包括电源开关，所述方法还包括以下步骤：

提供并联耦合到所述电源开关的晶体管；

基于所述电气参量，估计所述电源开关的电阻；以及

当识别出所述电阻高于阈值时，开启所述晶体管。