[发明专利]一种金/二氧化硅核壳微结构与半导体量子点复合量子点发光薄膜的制备方法在审

专利信息
申请号: 201810063711.1 申请日: 2018-01-23
公开(公告)号: CN108192619A 公开(公告)日: 2018-06-22
发明(设计)人: 杨尊先;郭太良;陆干臻;赵志伟;阮玉帅;胡海龙;周雄图;陈耿旭;唐谦;陈兴德 申请(专利权)人: 福州大学
主分类号: C09K11/88 分类号: C09K11/88;C09K11/02;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 福州元创专利商标代理有限公司 35100 代理人: 蔡学俊
地址: 350108 福建省福*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 半导体量子点 微结构 制备 核壳 复合量子点 发光薄膜 旋涂 薄膜 等离子体激元 二氧化硅核壳 等离子激元 复合发光层 电场分布 发光性能 封装工艺 复合发光 工艺技术 光致发光 壳核结构 纳米颗粒 外界电场 旋涂成膜 制备工艺 隔离层 有机物 衬底 金核 制作
【权利要求书】:

1.一种金/SiO2核壳微结构与半导体量子点复合量子点发光薄膜的制备方法,其特征在于:

步骤S1:选取一ITO玻璃作为发光器件衬底,所述ITO玻璃包括一玻璃衬底和覆盖玻璃衬底的ITO薄膜;

步骤S2:制备CdSe量子点胶体溶液,将制得的半导体量子点作为光致发光中心,旋涂成膜;

步骤S3:制备金/SiO2核壳结构的纳米颗粒、纳米棒或其他形貌的微粒,将得到的Au核作为等离子激元增强中心,将Au核外包的SiO2壳层作为绝缘层;

步骤S4:利用旋涂工艺在ITO玻璃表面旋涂Au/SiO2核壳结构纳米微粒;

步骤S5:通过有机物旋涂与利用PMMA或PI有机物的封装技术固定上述的发光层,形成Au/SiO2核壳量子点-半导体量子点复合发光膜。

2.根据权利要求1所述的一种金/SiO2核壳微结构与半导体量子点复合量子点发光薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤S2具体包括以下步骤:

步骤S21:制备Se的前驱体:将Se粉溶解在三正辛基膦中,通过搅拌加热的方式制得前驱体溶液;

步骤S22:制备CdSe量子点溶液:将CdO、油酸、十八烯在烧瓶中,利用阶梯热处理所述溶液,再将上述的Se前驱体溶液加进烧瓶中加热,经过多次离心、清洗制得CdSe量子点溶液旋涂成膜。

3.根据权利要求1所述的一种金/SiO2核壳微结构与半导体量子点复合量子点发光薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤S3具体包括以下步骤:

步骤S31:制备金核胶体溶液和金/SiO2核壳结构纳米颗粒溶液:将包括氯金酸和柠檬酸钠配置成溶液依次加进容量瓶中混合,通过搅拌加热等手段制得金核胶体;将上述的金核胶体溶液于3-氨基丙基-三甲氧基硅烷、硅酸钠溶液混合,通过搅拌、加热手段生长SiO2外壳,可利用稀释和高速离心的方式清洗溶液中的硅、钠杂质,通过离心最后将Au/SiO2核壳纳米微粒分散到去离子水中得到Au/SiO2核壳纳米微粒溶液;

步骤S32:制备金纳米棒溶液和金/SiO2核壳结构纳米棒溶液:将氯金酸溶液、CTAB溶液和硼氢化钠溶液混合搅拌制得金种,再将CTAB溶液、硝酸银溶液、氯金酸溶液混合搅拌一定时间,最后加入抗坏血酸溶液和上述金种溶液搅拌静置制得金纳米棒溶液;取TEOS乙醇溶液加进上述的金纳米棒溶液中长壳,快速搅拌后静置,最后将溶液分散到去离子水中离心清洗以得到金/SiO2核壳结构纳米棒溶液。

4.根据权利要求1所述的一种金/SiO2核壳微结构与半导体量子点复合量子点发光薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤S4中制备Au/SiO2核壳结构纳米微粒和半导体量子点复合发光层的具体方法为:将ITO玻璃衬底采用无水乙醇溶液清洗擦拭1-3分钟,再用去离子水清洗2-3次,并采用旋涂工艺将所述步骤S3中制备的Au/SiO2壳核纳米微粒溶液旋涂成膜,在ITO玻璃的ITO薄膜表面形成一层Au/SiO2壳核纳米微粒-半导体量子点CdSe复合发光层,制得覆盖Au/SiO2核壳结构纳米微粒和半导体量子点复合发光层的ITO玻璃样片。

5.根据权利要求1所述的一种金/SiO2核壳微结构与半导体量子点复合量子点发光薄膜的制备方法,其特征在于:所述步骤S5的具体方法为:将聚甲基丙烯酸甲酯溶液旋涂在ITO玻璃样片的Au/SiO2壳核纳米微粒-半导体量子点CdSe复合发光层表面成膜,并采用阶梯温度热处理方式进行退火处理,得到Au/SiO2壳核纳米微粒-半导体量子点CdSe复合发光膜。

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