[发明专利]一种高效G7坩埚涂层制备方法

权利要求书

1.一种高效G7坩埚涂层制备方法，其特征在于：具体包括以下步骤：

步骤一：氮化硅涂层制备：将氮化硅粉、硅溶胶和去离子水按照一定的比例混合均匀，具体为氮化硅粉用量在500—600g之间，硅溶胶用量在200—300g之间，去离子水用量在1500—2000ml；

步骤二：将步骤一制得的氮化硅溶液利用喷涂的方式刷涂到G7坩埚四壁，其中喷涂流量控制在100—130ml/10s，喷涂圈数控制在20—28圈，喷涂雾型压力控制在0.4—0.6MPa，喷涂距离控制在离坩埚内部25—35cm，喷涂坩埚内壁温度控制在80—110℃；

步骤三：利用刷涂的方式将配制好的高纯氮化硅、高纯硅粉混合后浆料涂刷在坩埚内部喷涂好氮化硅涂层表面上刷涂高度为由坩埚底部向上15-30cm高度，其中高纯氮化硅（纯度≥5.5N）和高纯硅粉（纯度≥6N）以重量比3：1—5：1的配比混合，加入无水乙醇（纯度≥5N）溶解，溶解均匀后，添加少量加热有机物作为粘结剂，且粘结剂占整体溶液质量的1%—3%，然后通过机械搅拌，以200-300r/min搅拌15-20min，搅拌均匀后利用刷涂的方式刷涂在上述坩埚内部氮化硅涂层表面；

步骤四：将高纯氮化硅与高纯硅粉涂层刷涂完成后，放在在室温20~30℃的房间中，静置24h后使用。

2.根据权利要求1所述的高效G7坩埚涂层制备方法，其特征在于：所述步骤一中氮化硅粉用量为550g，硅溶胶用量为250g，去离子水用量为1800ml。

3.根据权利要求1所述的高效G7坩埚涂层制备方法，其特征在于：所述步骤二中喷涂流量控制在110ml/10s，喷涂圈数控制在24圈，喷涂雾型压力控制在0.45MPa，喷涂距离控制在离坩埚内部30cm，喷涂坩埚内壁温度控制在90℃。

4.根据权利要求1所述的高效G7坩埚涂层制备方法，其特征在于：所述步骤三中高纯氮化硅与高纯硅粉以重量比3：1—5：1的配比混合。

5.根据权利要求1所述的高效G7坩埚涂层制备方法，其特征在于：所述步骤三中粘结剂占整体溶液质量的2%，且粘结剂主要成分为PVA和硅溶胶，PVA与硅溶胶配比为1：4—1：6。