[发明专利]用于内线转移CCD的引线-遮光结构在审

申请号：	201810062600.9	申请日：	2018-01-23
公开（公告）号：	CN108565271A	公开（公告）日：	2018-09-21
发明（设计）人：	姜华男;熊玲;龙雨霞;向鹏飞;李睿智	申请（专利权）人：	中国电子科技集团公司第四十四研究所
主分类号：	H01L27/146	分类号：	H01L27/146
代理公司：	重庆乾乙律师事务所 50235	代理人：	侯懋琪
地址：	400060 重庆***	国省代码：	重庆;50
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摘要：
搜索关键词：	遮光金属层金属总线平坦化层多晶硅转移栅遮光结构连接孔内线电连接接触孔填充覆盖工作频率技术效果遮光效果上侧面衬底
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【权利要求书】：

1.一种用于内线转移CCD的引线-遮光结构，其特征在于：所述引线-遮光结构包括多晶硅转移栅(1)、回留层(2)、遮光金属层(3)、平坦化层(4)和金属总线层(5)；所述多晶硅转移栅(1)形成在衬底上；所述回留层(2)覆盖在多晶硅转移栅(1)表面，回留层(2)上设置有接触孔(3-1)，接触孔(3-1)的位置与多晶硅转移栅(1)的上端面对应；所述遮光金属层(3)覆盖在回留层(2)表面并将所述接触孔(3-1)填充；所述平坦化层(4)覆盖在遮光金属层(3)表面，平坦化层(4)上设置有连接孔；所述金属总线层(5)层叠在平坦化层(4)的上侧面上，金属总线层(5)将所述连接孔填充，遮光金属层(3)通过连接孔与金属总线层(5)电连接。

2.根据权利要求1所述的用于内线转移CCD的引线-遮光结构，其特征在于：所述回留层(2)采用硼硅玻璃或硼磷硅玻璃制作。

3.根据权利要求1所述的用于内线转移CCD的引线-遮光结构，其特征在于：所述遮光金属层(3)采用钛、氮化钛或二硅化钨制作。

4.根据权利要求1所述的用于内线转移CCD的引线-遮光结构，其特征在于：所述平坦化层(4)采用硼硅玻璃或硼磷硅玻璃制作。

5.根据权利要求1或2所述的用于内线转移CCD的引线-遮光结构，其特征在于：所述回留层(2)的厚度为100nm～200nm。

6.根据权利要求1或3所述的用于内线转移CCD的引线-遮光结构，其特征在于：所述遮光金属层(3)的厚度为200nm～500nm。

7.根据权利要求1或4所述的用于内线转移CCD的引线-遮光结构，其特征在于：所述平坦化层(4)的厚度为500nm～700nm。

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