[发明专利]一种提高引线键合强度的劈刀有效
| 申请号： | 201810062208.4 | 申请日： | 2018-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN108389806B | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 黄雪云 | 申请（专利权）人： | 潮州三环（集团）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/607 | 分类号： | H01L21/607 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 宋静娜;郝传鑫 |
| 地址： | 515646 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 劈刀 焊嘴 尖端表面 使用寿命 引线键合 耐磨 瓷嘴 表面粗糙度 热处理 表面结构 表面增大 键合效果 交替分布 凸出 凹陷 抛光 孔沿 焊接 陶瓷 延伸 | ||
1.一种提高引线键合强度的劈刀，其特征在于，所述劈刀为焊接陶瓷劈刀，所述劈刀包括本体、位于本体一端的焊嘴和孔，所述孔沿所述本体的纵轴和所述焊嘴延伸，所述焊嘴的尖端表面由交替分布的凸出部分和凹陷部分组成；所述孔内壁表面的粗糙度Ra为0.1～0.5μm。
2.如权利要求1所述的提高引线键合强度的劈刀，其特征在于，所述凸出部分和凹陷部分均匀交替分布。
3.如权利要求1或2所述的提高引线键合强度的劈刀，其特征在于，所述凸出部分的最高点和凹陷部分的最低点形成高度差，所述高度差为2～20μm。
4.如权利要求3所述的提高引线键合强度的劈刀，其特征在于，所述高度差为2～10μm。
5.如权利要求1、2或4所述的提高引线键合强度的劈刀，其特征在于，所述凸出部分的高度为2～10μm。
6.如权利要求1、2或4所述的提高引线键合强度的劈刀，其特征在于，所述相邻凸出部分中间点的横向距离为5～10μm。
7.如权利要求1、2或4所述的提高引线键合强度的劈刀，其特征在于，所述凸出部分的半腰宽为2～6μm。
8.如权利要求1所述的提高引线键合强度的劈刀，其特征在于，所述焊嘴的尖端表面的粗糙度Ra为0.5～3μm。
9.一种如权利要求1～8任一项所述的提高引线键合强度的劈刀的制备方法，其特征在于，采用激光粗化的方式对所述焊嘴的尖端表面进行粗化处理。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
