[发明专利]整平装置和整平一待整平物的方法在审
| 申请号: | 201810062070.8 | 申请日: | 2018-01-23 |
| 公开(公告)号: | CN109671642A | 公开(公告)日: | 2019-04-23 |
| 发明(设计)人: | 吕铭汉;黄正维;王昱祺;黄泰源 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 蕭輔寬 |
| 地址: | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 整平 放置平台 温度控制器 整平装置 形变 压制器 非接触式 | ||
1.一种整平装置,包含:
放置平台,用以承接待整平物;
第一温度控制器,用以控制所述放置平台和所述待整平物的温度;和
形变压制器,位于所述放置平台和所述待整平物的上方,且提供至少一非接触式的向下推力到所述待整平物。
2.根据权利要求1所述的整平装置,其中所述放置平台具有至少一吸附孔,以吸住所述待整平物。
3.根据权利要求2所述的整平装置,其中所述放置平台更具有至少一第一气体通道,所述至少一第一气体通道与所述至少一吸附孔相连通。
4.根据权利要求3所述的整平装置,更包含第一气体控制器,连通所述第一气体通道,用以对所述第一气体通道内的气体提供抽气力或是吹气力。
5.根据权利要求4所述的整平装置,其中所述第一气体控制器为空气帮浦。
6.根据权利要求1所述的整平装置,其中所述形变压制器具有至少一吹气孔,所述非接触式的向下推力为吹气力。
7.根据权利要求6所述的整平装置,其中所述形变压制器更具有至少一第二气体通道,所述至少一第二气体通道与所述至少一吹气孔相连通。
8.根据权利要求7所述的整平装置,更包含第二气体控制器,连通所述第二气体通道,用以提供被加压气体到所述第二气体通道。
9.根据权利要求8所述的整平装置,其中所述第二气体控制器为空气帮浦。
10.根据权利要求6所述的整平装置,更包含第二温度控制器,用以控制所述吹气孔的气体的温度。
11.根据权利要求6所述的整平装置,其中所述形变压制器具有多个吹气孔,所述吹气孔开口于所述形变压制器的表面,且由所述形变压制器的中心到所述形变压制器的外围呈现放射状分布。
12.根据权利要求6所述的整平装置,其中所述吹气孔的孔径小于或等于2mm。
13.根据权利要求6所述的整平装置,其中所述形变压制器具有多个吹气孔,所述放置平台具有多个吸附孔,每一吹气孔的位置对应每一吸附孔的位置。
14.根据权利要求1所述的整平装置,其中所述形变压制器可相对于所述放置平台升降。
15.一种整平待整平物的方法,包含下列步骤:
(a)提供放置平台;
(b)将所述待整平物放置于所述放置平台上;和
(c)提供至少一非接触式的向下推力到所述待整平物。
16.根据权利要求15所述的方法,其中所述步骤(a)更包含预热所述放置平台的步骤。
17.根据权利要求15所述的方法,其中所述步骤(b)之后更包含透过所述放置平台对所述待整平物进行加热的步骤。
18.根据权利要求15所述的方法,其中所述步骤(b)中,其中所述放置平台吸住所述待整平物的下表面。
19.根据权利要求15所述的方法,其中所述步骤(c)中,所述非接触式的向下推力为吹气力,其施向所述待整平物的上表面。
20.根据权利要求19所述的方法,其中形成所述吹气力的气体的温度大致等于所述待整平物的温度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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