[发明专利]一种溴掺杂的高导电超薄石墨烯膜的制备方法

权利要求书

1.一种溴掺杂的高导电超薄石墨烯膜的制备方法，其特征在于，包含如下步骤：

（1）将氧化石墨烯配制成浓度为0.5-10μg/mL氧化石墨烯水溶液，以AAO膜为基底抽滤成膜；

（2）将贴附于AAO的氧化石墨烯膜置于密闭容器中，80-100度HI高温从底部往上熏蒸0.1-1h；

（3）将融化的固体转移剂均匀涂敷在还原氧化石墨烯膜表面，并于室温下自然冷却，直到基底膜自然脱落；

（4）将上述得到的固体转移剂支撑的石墨烯膜在固体转移剂挥发的温度下挥发掉固体转移剂，得到独立自支撑的石墨烯膜；

（5）将上述独立自支撑石墨烯膜置于高温炉中，升温至3000摄氏度，修复石墨烯膜结构，去除内部缺陷；

（6）将步骤（5）处理后的石墨烯膜和一定量的液溴置于同一密封的容器中，其中液溴的量m与容器容积v满足：m/v=1g/L，然后将整个容器用液氮冰冻后抽真空直至将空气完全抽除；室温下自然解冻后放入30-40摄氏度的烘箱中加热12-24小时，得到溴掺杂的石墨烯膜。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的固体转移剂选自石蜡、萘、樟脑、降冰片烯、松香。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的固体转移剂的升华温度要控制在320度以下；升华压力以及环境含氧量根据物性而定。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤（5）中的升温过程如下：0-2000摄氏度，5-20摄氏度每分钟；2000-3000摄氏度，2-5摄氏度每分钟。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤（3）中，通过蒸镀、流延将融化的固体转移剂均匀涂敷在还原氧化石墨烯膜表面。