[发明专利]用于制造至少两件式的结构的方法有效

专利信息
申请号: 201810061821.4 申请日: 2018-01-23
公开(公告)号: CN108339980B 公开(公告)日: 2021-04-09
发明(设计)人: K·施伦格;V·阿贝阿赫尔利;B·赛勒;M·托内;M·瓦尼尔 申请(专利权)人: 布鲁克EAS有限公司
主分类号: B22F3/105 分类号: B22F3/105;H01B12/02;H01B13/00;B33Y10/00
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 邓斐
地址: 德国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 制造 至少 两件式 结构 方法
【权利要求书】:

1.用于制造至少两件式的结构(43)的方法,

其中,单独地制造第一结构(2a)和第二结构(2b),并且随后将第一结构(2a)和第二结构(2b)彼此接合,

将所述第二结构(2b)完全或主要由超导材料制成,

其特征在于,

分别分层地通过粉末(6)的选择性激光熔化或选择性电子束熔化来制造所述第一结构(2a)和第二结构(2b),

将所述第一结构(2a)制造成带有多个轴向空隙部(23),并且将所述第二结构(2b)制造成带有多个互补的轴向突起(21),并且

所述第二结构(2b)的轴向突起(21)具有至少20的突起纵横比FAV。

2.按照权利要求1所述的方法,其特征在于,由不同的材料制成所述第一结构(2a)和第二结构(2b)。

3.按照权利要求1或2所述的方法,其特征在于,将所述第一结构(2a)制造成带有至少7个轴向空隙部(23),并且将所述第二结构(2b)制造成带有至少7个互补的轴向突起(21)。

4.按照权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述第一结构(2a)的轴向连桥区域(25)具有至少20的连桥纵横比SAV,所述轴向空隙部(23)在所述轴向连桥区域中构成。

5.按照权利要求1或2所述的方法,其特征在于,沿垂直于轴向空隙部(23)和轴向突起(21)的轴向延伸方向(AR)的方向(FR)分层地制造所述第一结构(2a)和第二结构(2b)。

6.按照权利要求1或2所述的方法,其特征在于,沿轴向空隙部(23)和轴向突起(21)的轴向延伸方向(AR)分层地制造所述第一结构(2a)和第二结构(2b)。

7.按照权利要求1或2所述的方法,其特征在于,将所述第二结构(2b)完全或主要由NbTi制成。

8.按照权利要求1或2所述的方法,其特征在于,将所述第一结构(2a)完全或主要由铝或铜制成,或将所述第一结构(2a)完全或主要由包含铝或铜的合金制成。

9.按照权利要求1或2所述的方法,其特征在于,使所述两件式的结构(43)在彼此接合之后经受横截面缩小的成形。

10.按照上述权利要求1或2所述的方法,其特征在于,将所述第一结构(2a)和/或第二结构(2b)在通过选择性激光熔化或电子束熔化的分层的制造之后经受降低粗糙度的表面处理。

11.按照上述权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述至少两件式的结构是用于超导线的半成品。

12.至少两件式的结构(43),该至少两件式的结构按照权利要求1至11之一所述的方法来制造。

13.按照权利要求12所述的至少两件式的结构,其特征在于,所述至少两件式的结构是用于超导线的半成品。

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