[发明专利]光刻胶去除方法

权利要求书

1.一种光刻胶去除方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、在硅衬底表面形成光刻胶，对所述光刻胶进行曝光和显影打开半导体器件的离子注入区域，以所述光刻胶为掩膜进行离子注入；

步骤二、采用灰化工艺去除所述光刻胶，在所述灰化工艺中，将所述光刻胶分成由底部区域和顶部区域叠加而成的结构；

在去除所述顶部区域时，所述灰化工艺的气体采用含氧气体，利用所述含氧气体提高所述光刻胶的去除速率，所述光刻胶的厚度由所述底部区域和顶部区域的厚度叠加而成；

在去除所述顶部区域之后，对所述底部区域进行去除时，所述灰化工艺的气体采用非氧含氮气体，利用所述非氧含氮气体中的含氮气体去除所述底部区域，在去除所述底部区域时光刻胶残余会和所述硅衬底的硅相接触，利用所述非氧含氮气体的不含氧的特征防止氧在所述光刻胶残余和硅接触的条件下和硅反应形成球状缺陷；

步骤一中的所述离子注入工艺为栅极氧化层和多晶硅栅极生长前的半导体前段工艺；

在完成所有所述半导体前段工艺之后依次进行栅极氧化层和所述多晶硅栅极的生长，之后光刻定义出栅极区域，采用刻蚀工艺去除所述栅极区域外的所述多晶硅栅极和所述栅极氧化层并形成由所述栅极氧化层和所述多晶硅栅极叠加形成的栅极结构；

所述半导体器件对应的技术节点为28nm以下；

去除所述栅极区域外的所述栅极氧化层的工艺采用气相法刻蚀工艺；

所述气相法刻蚀工艺包括步骤：

采用NH₃和HF的混合气体和所述栅极氧化层发生反应；

之后，进行升温和升压使反应产物挥发实现所述栅极氧化层的去除。

2.如权利要求1所述的光刻胶去除方法，其特征在于：所述非氧含氮气体包括NH₃；或者，所述非氧含氮气体包括N₂和H₂的混合气体；或者，所述非氧含氮气体包括CF₄、NF₃和CH₄的混合气体。

3.如权利要求1所述的光刻胶去除方法，其特征在于：所述含氧气体为O₂和H₂的混合气体；或者，所述含氧气体为O₂。

4.如权利要求1所述的光刻胶去除方法，其特征在于：所述光刻胶的顶部区域的厚度为所述光刻胶的厚度的50％～80％。

5.如权利要求4所述的光刻胶去除方法，其特征在于：所述光刻胶的顶部区域的厚度为所述光刻胶的厚度的70％～80％。

6.如权利要求1所述的光刻胶去除方法，其特征在于：所述光刻胶的厚度为

7.如权利要求3所述的光刻胶去除方法，其特征在于：所述含氧气体去除所述顶部区域的工艺条件为：温度为100℃～280℃，气体流量为1000sccm～9000sccm，气体压力为600mT～1000mT，时间为30s～90s。

8.如权利要求2所述的光刻胶去除方法，其特征在于：所述非氧含氮气体去除所述底部区域的工艺条件为：温度为60℃～200℃，气体流量为600sccm～5000sccm，气体压力为600mT～1000mT，时间为30s～200s。

9.如权利要求1所述的光刻胶去除方法，其特征在于：步骤二中在同一工艺腔中连续进行去除所述顶部区域和去除所述底部区域的步骤。