[发明专利]一种有效抑制双极性电流的双栅隧穿场效应晶体管有效
| 申请号： | 201810058240.5 | 申请日： | 2018-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN108389896B | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 谢倩;刘明军;王政 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/10;H01L29/739 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 有效 抑制 极性 电流 双栅隧穿 场效应 晶体管 | ||
1.一种有效抑制双极性电流的双栅隧穿场效应晶体管，包括源区(110)、沟道区(111)、漏区(112)、第一沟道区氧化层(113)、第二沟道区氧化层(115)、第一漏区氧化层(114)、第二漏区氧化层(116)、顶部栅电极(117)、底部栅电极(118)、源电极(119)和漏电极(120)，所述第一沟道区氧化层覆盖沟道区上表面部分区域，第二沟道区氧化层覆盖沟道区下表面部分区域，第一漏区氧化层覆盖在沟道区中未被第一沟道区氧化层覆盖的沟道区上表面和部分漏区上表面，第二漏区氧化层覆盖在沟道区中未被第二沟道区氧化层覆盖的沟道区下表面和部分漏区下表面，第一沟道区氧化层和第一漏区氧化层上方覆盖顶部栅电极，第二沟道区氧化层和第二漏区氧化层下方覆盖底部栅电极，第一漏区氧化层(114)的厚度比第一沟道区氧化层(113)的厚度厚，第二漏区氧化层(116)的厚度比第二沟道区氧化层(115)的厚度厚；所述第一沟道区氧化层的左边界与沟道区的左边界重合，第二沟道区氧化层的左边界与沟道区的左边界重合；所述第一沟道区氧化层的右边界与第一漏区氧化层的左边界重合，第二沟道区氧化层的右边界与第二漏区氧化层的左边界重合。
2.根据权利要求1所述的有效抑制双极性电流的双栅隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述第一沟道区氧化层和第二沟道区氧化层的右边界与沟道区的右边界之间的距离D满足：0＜D＜沟道区长度的一半。
3.根据权利要求1所述的有效抑制双极性电流的双栅隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述第一漏区氧化层和第二漏区氧化层的右边界与漏区的左边界之间的距离L满足：0＜L＜漏区的长度。
4.根据权利要求1所述的有效抑制双极性电流的双栅隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述第一沟道区氧化层、第二沟道区氧化层、第一漏区氧化层和第二漏区氧化层的材料为二氧化硅。
5.根据权利要求1所述的有效抑制双极性电流的双栅隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述双栅隧穿场效应晶体管，对于N型双栅隧穿场效应晶体管，源区为P型重掺杂，漏区为N型重掺杂，沟道区为N型轻掺杂；对于P型双栅隧穿场效应晶体管，源区为N型重掺杂，漏区为P型重掺杂，沟道区为P型轻掺杂。
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