[发明专利]固体摄像装置、固体摄像装置的驱动方法以及电子设备有效

专利信息
申请号: 201810057011.1 申请日: 2018-01-19
公开(公告)号: CN108337458B 公开(公告)日: 2021-04-20
发明(设计)人: 大仓俊介;山口正人;白畑正芳;藤野毅;汐崎充;久保田贵也 申请(专利权)人: 普里露尼库斯日本股份有限公司;学校法人立命馆
主分类号: H04N5/374 分类号: H04N5/374;H04N1/44;H04L9/08
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 高颖
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 固体 摄像 装置 驱动 方法 以及 电子设备
【说明书】:

本发明提供固体摄像装置、固体摄像装置的驱动方法以及电子设备。固体摄像装置具有:将包含光电二极管的多个像素以矩阵状排列的像素部;从像素部进行像素信号的读出的读出部;和将像素的偏差信息以及读出部的偏差信息中的至少任一者用作密钥生成用数据来生成固有密钥的密钥生成部,密钥生成部包含对密钥生成用数据进行强化固有密钥的解析的困难度即防篡改性的防篡改性强化处理的防篡改性强化处理部。由此,能生成隐匿性高的固有密钥,并且能谋求固有ID的重现性以及唯一性的提高,能确保固有密钥的高的防篡改性,进而能确实地防止图像的篡改、编造。

关联申请的引用

本申请发明包含关于日本专利申请JP20177381(2017年1月19日向日本专利局申请)的主题,将其全部内容援引于此。

技术领域

本发明涉及固体摄像装置、固体摄像装置的驱动方法以及电子设备。

背景技术

作为利用检测光来产生电荷的光电变换元件的固体摄像装置(图像传感器),有CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体)图像传感器以供实际使用。

CMOS图像传感器作为数字摄像机、视频摄像机、监视摄像机、医疗用内窥镜、个人计算机(PC)、便携电话等便携终端装置(移动设备)等各种电子设备的一部分而被广泛运用。

CMOS图像传感器按每个像素具备具有光电二极管(光电变换元件)以及浮动扩散层(FD:Floating Diffusion)的FD放大器,其读出主流是列并列输出型,选择像素阵列中的某一行,将它们同时向列(column)方向读出。

CMOS图像传感器的各像素基本例如相对于1个光电二极管包含作为转送元件的转送晶体管、作为复位元件的复位晶体管、作为源极跟随器元件(放大元件)的源极跟随器晶体管以及作为选择元件的选择晶体管这4个元件来作为有源元件。

另外,可以在各像素设置用于在光电二极管的积蓄期间将从光电二极管溢出的溢出电荷排出的溢出栅极(溢出晶体管)。

转送晶体管在光电二极管的电荷积蓄期间保持在非导通状态,在将光电二极管的积蓄电荷转送给浮动扩散FD的转送期间,在栅极施加驱动信号,从而保持在导通状态,将由光电二极管进行了光电变换的电荷转送给浮动扩散FD。

复位晶体管在其栅极赋予复位信号,从而将浮动扩散FD的电位复位到电源线的电位。

在浮动扩散FD连接源极跟随器晶体管的栅极。源极跟随器晶体管经由选择晶体管与垂直信号线连接,构成像素部外的负载电路的恒电流源和源极跟随器。

并且,控制信号(地址信号或选择信号)被提供给选择晶体管的栅极,选择晶体管接通。

若选择晶体管接通,则源极跟随器晶体管就将浮动扩散FD的电位放大,并将与其电位相应的电压输出到垂直信号线。通过垂直信号线而从各像素输出的电压被输出到作为像素信号读出电路的列并列处理部。

在列并列处理中,图像数据例如从模拟信号变换成数字信号,并转送到后级的信号处理部,在这里接受给定的图像信号处理从而得到所期望的图像。

如上述那样,在CMOS图像传感器中,将利用微弱的光通过光电变换产生的电子以微小电容变换成电压,进而使用微小面积的源极跟随器晶体管进行输出。因此,需要将电容被复位时产生的噪声、晶体管的元件偏差等微小的噪声除去,输出每个像素的复位电平与亮度电平(信号电平)的差分。

如此,在CMOS图像传感器中,通过输出每个像素的复位电平与亮度电平的差分,能除去复位噪声和阈值偏差,能检测数个电子的信号。检测该差分的动作被称作相关双采样(CDS:Correlated Double Sampling),是广泛使用的技术。对配置成阵列状的全部像素依次进行CDS读出,输出1帧份的通常的图像数据。

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